[发明专利]发光器件及其制造方法

说明书

本发明公开一种发光器件及其制造方法。该发光器件包括：基板，具有第一侧面以及与所述第一侧面相面对的第二侧面；半导体层叠结构体，位于基板上。基板的底面与第一侧面成锐角并与第二侧面成钝角。并且，第一侧面以及第二侧面分别包括连接于基板的上表面的第一倾斜面和连接于基板的底面的第二倾斜面。进而，相对于基板的底面而言，第一倾斜面具有比第二倾斜面更大的倾角。据此，可通过减少在基板的侧面发生的全内反射而改善发光器件的光提取效率。并且，通过采用第一侧面和第二侧面而不仅可以在封装件级上提高光效率，而且还可以提高荧光体的利用效率。

技术领域

本发明涉及一种半导体发光器件，尤其涉及一种侧面上的光提取效率优异的发光器件及其制造方法。

背景技术

III族氮化物半导体LED或激光二极管等氮化物半导体发光器件被开发出以后，氮化物半导体发光器件在显示器用背光灯、摄像机用闪光灯、照明等多种领域中作为新一代的主要光源正在倍受关注。随着氮化物半导体发光器件的应用领域的扩大，为了提高亮度和发光效率的研究正在进行。

通常，半导体发光器件通过对于半导体层叠结构体形成在蓝宝石基板之类的生长基板上的晶圆以单个芯片为单位进行分割而制得。其中，晶圆是通过划片工序而形成槽，并利用刀刃施加冲击而分割基板。

通常，通过划片工序而在基板上表面形成划片槽，并通过将刀刃接触于所述槽的正下方位置的基板背面并施加冲击而制造具有直六面体形状的基板的发光器件。

然而，直六面体形状的基板由于全内反射（total internal reflection）而会引起光损失。基板上发生的全内反射随着基板的折射率的增大而增加。尤其，通过基板的侧面发出的光在封装件的侧壁上被反射而重新入射到发光器件内部的可能性较高，从而使封装件级（Package Level）上的光损失进一步增加。而且，由于基板的侧面垂直于封装件的底面，因此难以在基板侧面布置荧光体，从而使荧光体的利用效率降低。

发明内容

本发明所要解决的技术问题为提供一种光提取效率得到改善的发光器件及其制造方法。

本发明所要解决的另一技术问题为提供一种借助于基板侧面而改善了光提取效率的发光器件及其制造方法。

本发明所要解决的又一技术问题为提供一种可改善在封装件级上的发光效率的发光器件及其制造方法。

本发明所要解决的又一技术问题为提供一种可在封装件级上提高荧光体的利用效率的发光器件及其制造方法。

根据本发明的一种形态的发光器件包括：基板，具有第一侧面以及与所述第一侧面相面对的第二侧面；半导体层叠结构体，位于所述基板上。并且，所述基板的底面与所述第一侧面成锐角并与所述第二侧面成钝角，所述第一侧面以及第二侧面分别包括连接于所述基板的上表面的第一倾斜面和连接于所述基板的底面的第二倾斜面，且相对于所述基板的底面而言，所述第一倾斜面具有比第二倾斜面更大的倾角。据此，可通过减少在基板的侧面发生的全内反射而改善发光器件的光提取效率。进而，通过采用所述第一侧面和第二侧面而不仅可以在封装件级上提高光效率，而且还可以提高荧光体的利用效率。

在本说明书中，“倾角”用于表示倾斜面相对于基板底面倾斜的程度，其表示倾斜面相对于基板底面呈现的90°以下的角度。尤其，如果倾斜面随着位置而改变，则“倾角”表示倾斜面的切平面与基板的底面之间形成的角度。

另外，所述第一倾斜面可包括：划片（scribing）面；以及第一断裂（breaking）面，连接划片面和所述第二倾斜面。所述划片面可以是利用金刚石刀片（diamond blade）形成的划片面或者激光划片面。尤其，所述划片面可以是激光划片面。在此情况下，所述划片面可包括在激光的作用下被改性的表面。另外，所述第二倾斜面可以是第二断裂面。在本说明书中，“断裂面”表示利用划片槽使基板断裂时形成的面，因此，不包括通过刀片或激光而改性的表面。