[发明专利]一种带胶磁控溅射厚膜的方法

说明书

本发明涉及一种器件制作工艺，具体涉及一种带胶磁控溅射厚膜的方法。该方法包括依次进行的基片清洗、基片光刻、基片打底胶、周期性沉积厚膜和剥离步骤，所述周期性沉积厚膜指的是一个周期内进行高功率快速磁控溅射薄膜和低功率慢速沉积薄膜，在进行周期性沉积厚膜时通过交替控制磁控溅射的功率，获得带胶磁控溅射厚膜的基片。本发明改变了以往只采用同一功率磁控溅射厚膜的工艺，从而有效的解决了光刻胶因受热碳化或变形的问题，该方法可以有效高速便捷的获得高质量带胶磁控溅射厚膜的基片。解决电镀法环境污染严重和热蒸发沉积薄膜质量差的问题，实现宽工艺窗口的工艺技术，且该方法便捷快速，经济可靠。

技术领域

本发明涉及一种器件制作工艺，具体涉及一种带胶磁控溅射厚膜的方法。

背景技术

磁控溅射既是半导体薄膜沉积的一种方法，也是半导体器件制备工艺中很重要的金属电极制备手段。

在SiC高压器件的制备中，SiC器件在封装前都要对电极进行加厚，以提高器件的电接触可靠性，同时改善器件的热导性能，常使用剥离工艺实现加厚电极图形转移，故需要带胶沉积厚金属膜层。常规的电极加厚工艺有热蒸发或电镀，电镀一方面这种电化学方法需要用到很多化学药液，对环境污染较严重，另一方面，电镀无法实现铝的电镀，而铝加厚电极又是SiC高压器件中很常用的；热蒸发由于沉积速度快无法监控，一方面厚度均匀性很难保证，同时薄膜的粘附性也不是很好，而且薄膜表面形貌也很粗糙。在SiC高压器件中，粗糙的电极相会极大的影响器件的性能，如击穿电压降低、反向电流增加等。另外粘附性差的电极也将使器件的可靠性大大降低，因此光滑均匀粘附性好的加厚电极是器件制备成功的基本保证。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明的目的是提供一种带胶磁控溅射厚膜的方法，解决电镀法环境污染严重和热蒸发沉积薄膜质量差的问题，实现宽工艺窗口的工艺技术，且该方法便捷快速，经济可靠。

本发明的目的是采用下述技术方案实现的：

本发明提供一种带胶磁控溅射厚膜的方法，所述方法包括依次进行的基片清洗、基片光刻、基片打底胶、周期性沉积厚膜和剥离步骤，所述周期性沉积厚膜指的是一个周期内进行高功率快速磁控溅射薄膜和低功率慢速沉积薄膜，其改进之处在于，在进行周期性沉积厚膜时通过交替控制磁控溅射的功率，获得带胶磁控溅射厚膜的基片。

进一步地，其中基片包括半导体材料和非半导体材料；所述半导体材料包括Si、SiC、GaN和GaAs，用于器件制备；所述非半导体材料包括陶瓷片、玻璃和金属片，用于微电机系统MEMS或生物芯片制备。

进一步地，所述基片光刻包括接触式光刻、分步投影光刻和电子束光刻。

进一步地，所述厚膜包括金属厚膜或非金属厚膜。

进一步地，所述磁控溅射包括直流溅射和脉冲溅射；制备金属厚膜采用直流溅射；制备非金属厚膜采用脉冲溅射。

进一步地，其中基片清洗包括有机沾污去除和无机沾污去除；基片光刻包括涂胶、前烘、曝光、后烘、显影和坚膜工艺步骤；基片打底胶包括底膜去除和底膜检查；周期性沉积厚膜包括高功率快速沉积和低功率慢速沉积工艺步骤；剥离包括厚膜剥离和残胶去除。

与现有技术比，本发明达到的有益效果是：

1、本发明改变了以往只采用同一功率磁控溅射厚膜的工艺，从而有效的解决了光刻胶因受热碳化或变形的问题，该方法可以有效高速便捷的获得高质量带胶磁控溅射厚膜的基片。

2、本发明规避了以往通过电镀方法制备厚金属膜带来的环境污染问题，以及解决了传统热蒸发厚膜的品质差的顽疾，该方法工艺窗口很宽，且经济易行。

附图说明

图1是本发明提供的实施例一的进行光刻后的基片结构示意图；