[发明专利]基板沉积装置的控制装置及其控制方法

权利要求书

1.一种用于基板沉积装置的控制装置，所述控制装置包括：

温度传感器，用于感测放置在腔室内的基板的温度；

波形提取器，用于将由所述温度传感器感测到的基板温度提取为随时间变化的温度波形；以及

测定器，用于根据所述基板的所述温度波形，测定所述基板是否发生弯曲以及所述基板的表面状态和斜度。

2.根据权利要求1所述的控制装置，进一步包括：

基板区域分离器，用于将所述基板的所述温度波形随时间分成起始区域、中间区域和结束区域；以及

温度比较器，用于将所述基板的与所述起始区域、中间区域和结束区域相对应的温度波形进行比较。

3.一种用于基板沉积装置的控制装置，所述控制装置包括：

温度传感器，用于感测放置在腔室内的基座的温度；

波形提取器，用于将由所述温度传感器感测到的基座温度提取为随时间变化的温度波形；以及

测定器，用于根据所述基座的所述温度波形，测定所述基座的旋转状态。

4.根据权利要求3所述的控制装置，其中，所述温度传感器还用于感测支撑在所述基座上的基板的温度；并且所述控制装置进一步包括区域分离器，用于将温度波形分成基座温度所对应的基座区域和基板温度所对应的基板区域。

5.根据权利要求4所述的控制装置，其中，所述区域分离器用于将整个温度波形分成呈现为相对高的温度波形的基座区域和相比于所述基座区域呈现为较低的温度波形的基板区域。

6.根据权利要求1所述的控制装置，进一步包括：

旋转周期检测器，用于根据基板区域的数量或基座区域的数量，检测出所述基座的一个旋转周期；以及

旋转速度检测器，用于根据所述旋转周期检测器所检测的所述基座的一个旋转周期，检测出所述基座的旋转速度。

7.根据权利要求6所述的控制装置，进一步包括波高比较器，用于比较所述基座的一个旋转周期所对应的所述基座区域的波高，

其中，所述测定器用于根据在所述基座的一个旋转周期中各基座区域之间的波高比较结果，测定所述基座是否发生了摆动。

8.一种用于基板沉积装置的控制方法，所述控制方法包括：

工艺起始步骤，在基板于腔室内受热的情况下，在所述基板上起始沉积工艺，然后将工艺气体供应到所述腔室内；

温度感测步骤，由温度传感器对所述基板的温度进行感测；

波形提取步骤，将由所述温度传感器感测到的基板温度提取为随时间变化的温度波形；

区域分离步骤，用于根据所述温度波形，将所述基座的温度所对应的基座区域与所述基板的温度所对应的基板区域分开；以及

测定步骤，根据所述基板的温度波形，测定所述基板是否发生弯曲，以及所述基板的表面状态和斜度。

9.根据权利要求8所述的控制方法，进一步包括基板区域分离步骤，用于将所述基板的温度波形随时间分成起始区域、中间区域和结束区域。

10.根据权利要求9所述的控制方法，进一步包括温度比较步骤，用于将所述基板的与所述起始区域、中间区域和结束区域相对应的温度波形进行比较。

11.根据权利要求10所述的控制方法，其中，在所述测定步骤中，如果所述中间区域的温度波形高于所述起始区域或所述结束区域的温度波形，那么测定所述基板发生了弯曲。

12.根据权利要求10所述的控制方法，其中，在所述测定步骤中，如果所述基板区域的温度波形向着所述结束区域逐渐降低，那么测定所述基板的表面发生了上翘。

13.根据权利要求10所述的控制方法，其中，在所述测定步骤中，如果所述基板区域的温度波形向着所述结束区域逐渐升高，那么测定所述基板的表面发生了上翘。

14.根据权利要求10所述的控制方法，其中，在所述测定步骤中，如果所述基板的温度波形不规则，那么测定所述基板的表面受损或者有外界物质粘附到所述基板的表面上。