[发明专利]圆弧应力匀散结构抗过载微压传感器的制造方法

权利要求书

1.圆弧应力匀散结构抗过载微压传感器的制造方法，其特征在于圆弧应力匀散结构抗过载微压传感器的制造方法如下：

一、将SOI晶片放入氧化炉进行氧化，在SOI晶片表面形成氧化层；

二、将经过步骤一处理的SOI晶片放入离子注入机，在SOI晶片的一面注入浓度为2×10²⁰cm^-3，能量为80kev的浓硼；

三、光刻：在SOI晶片注入浓硼的一面涂光刻胶，然后采用光刻机进行光刻；

四、刻蚀高掺杂硅：采用刻蚀机对经过步骤三处理的SOI晶片注入浓硼的一面进行刻蚀；

五、二次氧化：将经过步骤五处理的SOI晶片放入氧化炉进行氧化；

六、正面光刻：将SOI晶片未注入浓硼的一面涂光刻胶，然后采用光刻机进行光刻；

七、正面干法刻蚀：采用铝或光刻胶作为掩膜，在SF₆流量为300sccm、C₄F₈流量为150sccm、上电极功率为1200W、下电极功率为80W、压力为5Pa的条件下刻蚀经过步骤六处理的SOI晶片注入浓硼的一面，刻蚀结束后，除去铝或光刻胶，除去SOI晶片未注入浓硼的一面的氧化层；

八、蒸铝：使用蒸发台在SOI晶片未注入浓硼的一面沉积厚度为3000埃的铝；

九、背面光刻：将光刻胶涂在SOI晶片注入浓硼的一面，采用光刻机光刻经过步骤八处理的在SOI晶片未注入浓硼的一面的铝层，除去剩余的铝层；

十、背面干法刻蚀：采用铝或光刻胶作为掩膜，在SF₆流量为400sccm、C₄F₈流量为150sccm、上电极功率为1500W、下电极功率为80W、压力为5Pa的条件下刻蚀经过步骤九处理的SOI晶片未注入浓硼的一面；

十一、静电封接：采用键合机将玻璃片与经过步骤十处理的SOI晶片在键合温度为360℃、键合电压为1500V、键合压力为1000N的条件下键合15min，得到静电封接好的圆片；

十二、分离：将步骤十一得到的静电封接好的圆片分离成单个的芯片，即得圆弧应力匀散结构抗过载微压传感器。

2.根据权利要求1所述圆弧应力匀散结构抗过载微压传感器的制造方法，其特征在于步骤一中所述的SOI晶片为P型硅。

3.根据权利要求1或2所述圆弧应力匀散结构抗过载微压传感器的制造方法，其特征在于步骤三、步骤六、步骤七、步骤九及步骤十中所述的光刻胶型号为光刻胶AZ1500。

4.根据权利要求1或2所述圆弧应力匀散结构抗过载微压传感器的制造方法，其特征在于步骤七中除去铝的方法如下：在温度为80℃、浓度为80%的浓磷酸中腐蚀铝；步骤七中除去光刻胶的方法如下：在丙酮内溶解光刻胶。

5.根据权利要求1或2所述圆弧应力匀散结构抗过载微压传感器的制造方法，其特征在于步骤九中除去剩余的铝层的方法如下：在温度为80℃、浓度为80%的浓磷酸中腐蚀铝层。