[发明专利]经抗辐射加固的铝栅CMOS反相器和CMOS半导体器件

权利要求书

1.一种经抗辐射加固的铝栅CMOS反相器，包括

分别包含源极、漏极和栅极的PMOS晶体管和NMOS晶体管，

分别包围所述PMOS晶体管和所述NMOS晶体管的N⁺隔离环和P⁺隔离环，

所述PMOS晶体管的栅极和所述NMOS晶体管的栅极连通形成反相器的输入端，

所述PMOS晶体管的漏极和所述NMOS晶体管的漏极连通形成反相器的输出端，

所述PMOS晶体管的源极形成反相器的高电位端，

所述NMOS晶体管的源极形成反相器的低电位端，

其特征在于，

形成在NMOS晶体管的铝栅电极层下方的场氧化层的厚度与所述NMOS晶体管的栅氧化层的厚度相同。

2.如权利要求1所述的经抗辐射加固的铝栅CMOS反相器，其特征在于，与NMOS晶体管的栅氧化层相同厚度的场氧化层沿铝栅电极层的延伸方向延伸至所述P⁺隔离环。

3.如权利要求1所述的经抗辐射加固的铝栅CMOS反相器，其特征在于，与NMOS晶体管的栅氧化层相同厚度的场氧化层沿铝栅电极层的延伸方向延伸至所述P⁺隔离环并覆盖所述P⁺隔离环1-2微米。

4.如权利要求2所述的经抗辐射加固的铝栅CMOS反相器，其特征在于，与NMOS晶体管的栅氧化层相同厚度的场氧化层的宽度小于栅氧化层的宽度。

5.一种经抗辐射加固的铝栅CMOS半导体器件，包括

NMOS晶体管和PMOS晶体管，

分别包围所述PMOS晶体管和所述NMOS晶体管的N⁺隔离环和P⁺隔离环，

其特征在于，

形成在所述NMOS晶体管的铝栅电极层下场氧化层的厚度与所述NMOS晶体管的栅氧化层的厚度相同。

6.一种经抗辐射加固的铝栅CMOS半导体器件，包括

N型半导体衬底和形成在N型半导体衬底中P型阱区；

形成在N型半导体衬底中的P⁺源区和P⁺漏区，

形成在P型阱区中的N⁺源区和N⁺漏区，

包围所述P⁺源区和漏区的N⁺隔离环以及包围所述N⁺源区和漏区的P⁺隔离环；

形成在所述半导体衬底上的氧化物层；以及

形成在所述氧化物层上分别用于形成源极和漏极的互连电极层和用于形成栅极的铝栅电极层，

其特征在于，

形成在所述NMOS晶体管的铝栅电极层下场氧化层的厚度与所述NMOS晶体管的栅氧化层的厚度相同。

7.如权利要求5或6所述的经抗辐射加固的铝栅CMOS半导体器件，其特征在于，与NMOS晶体管的栅氧化层相同厚度的场氧化层沿铝栅电极层的延伸方向从沟道区延伸至所述P⁺隔离环。

8.如权利要求5或6所述的经抗辐射加固的铝栅CMOS半导体器件，其特征在于，与NMOS晶体管的栅氧化层相同厚度的场氧化层沿铝栅电极层的延伸方向从沟道区延伸至所述P⁺隔离环并覆盖所述P⁺隔离环1-2微米。

9.如权利要求5或6所述的经抗辐射加固的铝栅CMOS半导体器件，其特征在于，与NMOS晶体管的栅氧化层相同厚度的场氧化层的宽度小于栅氧化层的宽度。