[发明专利]信号接收电路有效
| 申请号： | 201310745758.3 | 申请日： | 2013-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN104753517B | 公开（公告）日： | 2018-08-10 |
| 发明（设计）人： | 莫善岳;陈捷;朱恺;郭之光;翁文君 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/017 | 分类号： | H03K19/017 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 漏极 反相器电路 信号接收电路 栅极连接 输入端 沟道 源极 源极接地 输出端 | ||
1.一种信号接收电路，其特征在于，包括：第一反相器电路和第二反相器电路；
所述第一反相器电路包括：第一PMOS管和第一NMOS管；
所述第一PMOS管的栅极连接所述第一NMOS管的栅极并作为所述第一反相器电路的输入端，所述第一PMOS管的漏极连接所述第一NMOS管的漏极并作为所述第一反相器电路的输出端，所述第一PMOS管的源极适于输入第一电压，所述第一NMOS管的源极接地；
所述第二反相器电路包括：第二PMOS管和第二NMOS管；
所述第二PMOS管的栅极连接所述第二NMOS管的栅极，所述第二PMOS管的漏极连接所述第二NMOS管的漏极和所述第一反相器电路的输入端，所述第二PMOS管的源极适于输入第二电压，所述第二电压的电压值大于所述第一电压的电压值，所述第二NMOS管的源极接地；
所述第一PMOS管、第一NMOS管、第二PMOS管和第二NMOS管的栅氧化层厚度相等，所述第一PMOS管和第一NMOS管的沟道长度均小于所述第二PMOS管的沟道长度，所述第一PMOS管和第一NMOS管的沟道长度均小于所述第二NMOS管的沟道长度；
所述第一PMOS管的衬底连接所述第一PMOS管的源极，所述第一NMOS管的衬底连接所述第一NMOS管的源极；
所述第二PMOS管的衬底连接所述第二PMOS管的源极，所述第二NMOS管的衬底连接所述第二NMOS管的源极。
2.如权利要求1所述的信号接收电路，其特征在于，还包括：第三反相器电路；
所述第三反相器电路包括：第三PMOS管和第三NMOS管；
所述第三PMOS管的栅极连接所述第三NMOS管的栅极和所述第一反相器电路的输出端，所述第三PMOS管的漏极连接所述第三NMOS管的漏极。
3.如权利要求2所述的信号接收电路，其特征在于，所述第三PMOS管的衬底连接所述第三PMOS管的源极，所述第三NMOS管的衬底连接所述第三NMOS管的源极。
4.如权利要求2所述的信号接收电路，其特征在于，所述第三PMOS管的源极适于输入第三电压，所述第三NMOS管的源极接地，所述第三电压的电压值等于所述第一电压的电压值。
5.如权利要求2所述的信号接收电路，其特征在于，所述第三PMOS管和第三NMOS管的栅氧化层厚度相等，所述第三PMOS管的栅氧化层厚度小于所述第一PMOS管的栅氧化层厚度。
6.如权利要求5所述的信号接收电路，其特征在于，所述第三PMOS管和第三NMOS管的沟道长度均小于或等于所述第一PMOS管的沟道长度，所述第三PMOS管和第三NMOS管的沟道长度均小于或等于所述第一NMOS管的沟道长度。
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