[发明专利]表征晶背缺陷的方法在审
申请号: | 201310745789.9 | 申请日: | 2013-12-30 |
公开(公告)号: | CN104752252A | 公开(公告)日: | 2015-07-01 |
发明(设计)人: | 刘孜谦;谭孝林;高燕 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L23/544 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 表征 缺陷 方法 | ||
1.一种表征晶背缺陷的方法,其特征在于,包括:
提供晶圆,所述晶圆包括晶圆正面和晶圆背面,所述晶圆背面具有晶背缺陷;
提供终端,在所述终端建立第一坐标系和第二坐标系,所述第一坐标系和第二坐标系为同一坐标系;
将所述晶圆正面的芯片分布图输入终端并显示在第一坐标系中形成芯片地图;
获取晶背图片,并将所述晶背图片显示在第二坐标系中;
在所述晶背图片对应晶背缺陷的位置形成缺陷标记,终端记录所述缺陷标记在第二坐标系中的坐标;
根据所述缺陷标记的坐标,在所述第一坐标系的芯片地图上标记缺陷芯片,所述缺陷芯片与晶背缺陷对准。
2.如权利要求1所述的表征晶背缺陷的方法,其特征在于,使用与终端电连接的摄像头对晶圆背面进行拍照来获取晶背图片。
3.如权利要求2所述的表征晶背缺陷的方法,其特征在于,所述终端为300mm晶圆自动检测和复检系统。
4.如权利要求1所述的表征晶背缺陷的方法,其特征在于,每一缺陷标记包括多个点,每形成一个点,终端记录一个坐标,对应多个点记录多个坐标;每个点对应的芯片均被标记为缺陷芯片。
5.如权利要求1所述的表征晶背缺陷的方法,其特征在于,每一缺陷标记中的所述多个点构成的形状与对应的晶背缺陷的形状相同。
6.如权利要求1所述的表征晶背缺陷的方法,其特征在于,在所述芯片地图上标记缺陷芯片的方法包括:
在所述终端中,将缺陷标记映射到一虚拟晶圆上,所述虚拟晶圆为终端模拟的和所述晶圆形状形同的图形;
将所述虚拟晶圆的正面与芯片地图叠加,根据记录的缺陷标记坐标识别缺陷芯片。
7.如权利要求6所述的表征晶背缺陷的方法,其特征在于,将缺陷标记映射到一虚拟晶圆上的方法为:
在所述终端建立第三坐标系,所述第三坐标系和第二坐标系、第一坐标系为同一坐标系;
在所述第三坐标系中形成一虚拟晶圆;
根据记录的缺陷标记坐标,终端定位第三坐标系中相同坐标位置,并将缺陷标显示在该相同坐标位置的虚拟晶圆正面。
8.如权利要求6所述的表征晶背缺陷的方法,其特征在于,根据记录的缺陷标记坐标识别缺陷芯片包括:
在所述第一坐标系中定位与缺陷标记坐标相同的正面坐标;
在所述第一坐标系中识别所述正面坐标位置的芯片,并标记为缺陷芯片。
9.如权利要求1所述的表征晶背缺陷的方法,其特征在于,所述晶背缺陷包括:刮伤或色差。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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