[发明专利]存储器件及其形成方法

权利要求书

1.一种存储器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底表面具有存储单元，所述存储单元包括：位于衬底表面的第一介质层、位于第一介质层表面的浮栅层、位于浮栅层表面的第二介质层、位于第二介质层表面的控制栅层、以及位于控制栅层表面的第一掩膜层；

在所述存储单元的侧壁表面形成第二掩膜层，所述第二掩膜层覆盖第一介质层、浮栅层和第二介质层的侧壁、以及控制栅层靠近浮栅层的部分侧壁；

以第一掩膜层和第二掩膜层为掩膜，去除部分控制栅层，使暴露出的部分控制栅层平行于衬底表面方向的尺寸缩小；

在去除部分控制栅层之后，以所述第一掩膜层和第二掩膜层为掩膜，采用自对准硅化工艺在暴露出的控制栅层侧壁表面、以及暴露出的衬底表面形成电接触层；

在所述衬底、存储单元和第二掩膜层表面形成阻挡层、以及位于所述阻挡层表面的第三介质层，所述第三介质层和阻挡层内具有开口，所述开口至少暴露出衬底表面的电接触层；

在所述开口内形成导电结构。

2.如权利要求1所述的存储器件的形成方法，其特征在于，所述第二掩膜的形成工艺包括：在衬底和存储单元表面形成第二掩膜；回刻蚀所述第二掩膜直至暴露出第一掩膜的顶部表面和衬底表面为止，形成第二掩膜侧墙；在衬底、存储单元和第二掩膜侧墙表面形成牺牲膜；回刻蚀所述牺牲膜以形成牺牲层，所述牺牲层暴露出第一掩膜层侧壁表面的第二掩膜侧墙、以及靠近第一掩膜层的部分控制栅层侧壁表面的第二掩膜侧墙；以所述牺牲层为掩膜，刻蚀所述第二掩膜侧墙以形成第二掩膜层，直至暴露出第一掩膜层侧壁表面和部分控制栅层侧壁表面为止；在形成第二掩膜层之后，去除所述牺牲层。

3.如权利要求2所述的存储器件的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为无定形碳、底层抗反射层材料或光刻胶。

4.如权利要求3所述的存储器件的形成方法，其特征在于，去除牺牲层的工艺为干法刻蚀工艺，刻蚀气体包括氧气。

5.如权利要求2所述的存储器件的形成方法，其特征在于，刻蚀所述第二掩膜侧墙的工艺为各向同性的湿法刻蚀工艺，刻蚀液包括氢氟酸。

6.如权利要求2所述的存储器件的形成方法，其特征在于，刻蚀所述第二掩膜侧墙的工艺为各向同性的干法刻蚀工艺，刻蚀气体包括氟基气体。

7.如权利要求1所述的存储器件的形成方法，其特征在于，所述去除部分控制栅层的工艺为各向同性的湿法刻蚀工艺，刻蚀液包括四甲基氢氧化铵或硝酸和氢氟酸的混合溶液。

8.如权利要求1所述的存储器件的形成方法，其特征在于，所述去除部分控制栅层的工艺为各向同性的干法刻蚀工艺，刻蚀气体包括氟基气体。

9.如权利要求1所述的存储器件的形成方法，其特征在于，由所述第二掩膜层覆盖的部分控制栅层的厚度大于控制栅层总厚度的1/5。

10.如权利要求1所述的存储器件的形成方法，其特征在于，所述电接触层的形成工艺包括：在衬底、第二掩膜层和存储单元表面形成金属层；采用退火工艺使金属层内的金属原子向暴露出的控制栅层和衬底内扩散，形成电接触层；在形成电接触层之后，去除金属层。

11.如权利要求10所述的存储器件的形成方法，其特征在于，所述金属层的材料为镍、钴、钛、钽中的一种或多种组合。

12.如权利要求11所述的存储器件的形成方法，其特征在于，所述电接触层的材料为硅化镍、硅化钴、硅化钛、硅化钽中的一种或多种组合。

13.如权利要求1所述的存储器件的形成方法，其特征在于，所述阻挡层和第三介质层的形成工艺包括：在衬底、存储单元和第二掩膜层表面沉积阻挡层；在阻挡层表面沉积第三介质层；在第三介质层表面形成图形化层，所述图形化层暴露出衬底表面的电接触层以及部分存储单元的对应位置；以所述图形化层为掩膜刻蚀所述第三介质层，直至暴露出阻挡层为止，以形成开口；去除开口底部的阻挡层，直至暴露出衬底表面的电接触层为止；在去除开口底部的阻挡层之后，去除图形化层。

14.如权利要求13所述的存储器件的形成方法，其特征在于，在沉积第三介质层之后，形成图形化层之前，采用化学机械抛光工艺平坦化所述第三介质层。