[发明专利]太阳能电池与其形成方法及n型ZnS层的形成方法有效
申请号: | 201310745979.0 | 申请日: | 2013-12-26 |
公开(公告)号: | CN104716218A | 公开(公告)日: | 2015-06-17 |
发明(设计)人: | 徐为哲;张仕政 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | H01L31/0749 | 分类号: | H01L31/0749;H01L31/0296;H01L31/18 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 曹玲柱 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 与其 形成 方法 zns | ||
技术领域
本发明是关于太阳能电池,更特别关于缓冲层的结构与形成方法。
背景技术
近年来全球工业蓬勃发展,虽然利用传统的能源供给方法成本较便宜,但却潜在着辐射及环境污染等问题。因此绿色替代能源成为各研究单位的研发重点,其中以太阳能电池最受瞩目。传统太阳电池主要以硅晶为主,但近年来各种薄膜太阳能电池蓬勃发展,但若考虑无毒、高效率以及高稳定度则以铜铟硒系列太阳能电池为首选。
铜铟镓硒CIGS是一种黄铜矿结构的化合物,其晶体结构为正方结构,因为拥有高光学吸收系数、吸光波段范围广、化学性质稳定性高、以及直接能隙的优点,因此相当适合作为太阳能电池的材料。一般CIGS电池,为基板上依次为电极层、CIGS层、CdS层、i-ZnO层、AZO层、以及视情况形成的指状电极。CdS层上的i-ZnO层可减缓缓冲层覆盖不完全的问题,并有效抑制电池的漏电流。此外,i-ZnO层可降低溅射AZO层时,离子轰击对CdS层的破坏。但i-ZnO层将吸收部分入射光,且i-ZnO层阻值大而不利电流搜集。此外,i-ZnO层还需多一道溅射工艺而增加工艺时间。
综上所述,目前需要新的CIGS电池结构以省略现有i-ZnO层。
发明内容
本发明一实施例提供的太阳能电池,包括:基板;电极层,位于基板上;p型吸光层,位于电极层上;n型ZnS层,位于p型吸光层上;以及透明电极层,位于n型ZnS层上。
本发明一实施例提供的n型ZnS层的形成方法,包括:将基板浸置于锌盐、螯合剂、以及硫代乙酰胺的酸性溶液中,以形成n型ZnS层于该基板上。
本发明一实施例提供的太阳能电池的形成方法,包括:提供基板;形成电极层于基板上;形成p型吸光层于电极层上;形成n型ZnS层于p型吸光层上,包括:将基板浸置于锌盐、螯合剂、以及硫代乙酰胺的酸性溶液中;以及形成透明电极层于n型ZnS层上。
附图说明
图1为本发明一实施例中,太阳能电池的示意图。
图2为本发明一实施例中,太阳能电池的示意图。
图3为本发明一实施例中,太阳能电池的示意图。
【符号说明】
20 基板;
21 电极层;
23 p型吸光层;
24、24’ n型ZnS层;
25 CdS层;
28 透明电极层;
29 指状电极。
具体实施方式
图1为本发明一实施例中,太阳能电池20的示意图。首先提供基板20如塑料、不绣钢、玻璃、石英、或其他常见基板材质。接着形成电极层21于基板20上,形成方法可为溅射、物理气相沉积、或喷涂法等。在本发明一实施例中,电极层21可为钼、铜、银、金、铂、其他金属、或上述的合金。接着形成p型吸光层23于电极层21上。在本发明一实施例中,p型吸光层23可为铜铟镓硒(CIGS)、铜铟镓硒硫(CIGSS)、铜镓硒(CGS)、铜镓硒硫(CGSS)、或铜铟硒(CIS)。P型吸光层23的形成方法可则可通过蒸镀法、溅射法、电镀法、纳米粒子涂布等方法制作而成,请参考Solar energy,77(2004)page749-756与Thin solid films,480-481(2005)page99-109。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的