[发明专利]一种硅片制绒方法

权利要求书

1.一种硅片制绒方法，其特征是：将硅片预清洗，然后在扩散炉进行表面掺杂；进一步将所得硅片进行湿法化学腐蚀法制绒；之后清洗硅片表面残余的制绒腐蚀液，最后清洗并甩干，即可得绒面结构硅片。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预清洗的清洗液为酸性腐蚀液或碱性腐蚀液，预清洗温度为3-85℃，预清洗时间为1-40分钟。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述酸性腐蚀液是硝酸、氢氟酸与水的混合溶液，其中硝酸的质量分数为5-65%，氢氟酸的质量分数为2-45%；所述碱性腐蚀液是无机碱的水溶液，其中无机碱的质量分数为0.5-30%。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述无机碱选自氨水，氢氧化锂，氢氧化钠或氢氧化钾。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述表面掺杂的表面掺杂剂选自磷源表面掺杂剂或硼源表面掺杂剂。

6.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述磷源表面掺杂剂选自三氯氧磷、三氯化磷、三溴化磷、磷酸、磷酸三甲酯、五氧化二磷、磷微晶玻璃、磷硅玻璃或含磷二氧化硅乳胶源；硼源表面掺杂剂选自三氯化硼、三溴化硼、硼酸、硼酸三甲酯、硼酸三丙酯、二氧化二硼、氮化硼、硼微晶玻璃、含硼二氧化硅乳胶源或硼硅玻璃。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述表面掺杂的掺杂方式为液态扩散源、片状扩散源、箱法扩散、固固扩散、涂源扩散、闭管扩散、气态扩散或沉淀扩散。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述表面掺杂的掺杂温度为800-1050℃，掺杂的热处理时间为5-120分钟；掺杂的保护气氛选自氩气、氮气、氧气或空气；硅片表面掺杂深度为0.1-15μm。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述湿法化学腐蚀制绒的腐蚀液为酸性腐蚀液或碱性腐蚀液，腐蚀次数为1-4次。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述酸性腐蚀液是氢氟酸、腐蚀试剂与水的混合溶液，其中氢氟酸的质量分数为2%-45%，腐蚀制绒温度为0-30℃，腐蚀制绒时间为1-20分钟。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述腐蚀试剂选自硝酸、醋酸、磷酸、硫酸或铬酸。

12.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述碱性腐蚀液为无机碱、异丙醇、硅酸钠、制绒添加剂与水的混合溶液，其中无机碱的质量分数为0.5-15%；腐蚀制绒温度为20-85℃，腐蚀制绒时间为5-40分钟。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述无机碱选自氨水、氢氧化锂、氢氧化钠或氢氧化钾。

14.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，硅片制绒的腐蚀量为0.005-0.2mg/cm²。

15.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述清洗并甩干操作所用清洗溶液为酸性水溶液或碱性水溶液，清洗温度为15-30℃，清洗时间为1-25分钟。

16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述酸性溶液是盐酸、氢氟酸和水的混合溶液，其中盐酸质量分数2-10%，氢氟酸质量分数2-10%；所述碱性水溶液是无机碱的水溶液，其中无机碱的质量分数为0.5-15%，无机碱选自氨水、氢氧化锂、氢氧化钠或氢氧化钾。