[发明专利]一种NAND Flash烧写数据的处理、使用方法及装置、系统有效

专利信息
申请号: 201310746872.8 申请日: 2013-12-30
公开(公告)号: CN103778964A 公开(公告)日: 2014-05-07
发明(设计)人: 周涛 申请(专利权)人: 上海晨思电子科技有限公司;晨星半导体股份有限公司
主分类号: G11C16/24 分类号: G11C16/24
代理公司: 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 代理人: 何青瓦
地址: 200120 上海*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 nand flash 数据 处理 使用方法 装置 系统
【说明书】:

技术领域

发明涉及计算机数据存储领域,特别是涉及一种NAND Flash烧写数据的处理、使用方法及装置、系统。

背景技术

非易失闪存(NAND Flash)以其容量大、访问速度快以及单位容量的成本低廉等特点,在嵌入式领域越来越广泛地被用作存放数据的载体。虽然NAND Flash在各类闪存芯片中有容量和成本上的优势,但可靠性相对较差也是其固有的缺陷。

NAND Flash根据其工艺结构又可分为单层单元(Single Level Cell,SLC)和多层单元(Multi Level Cell,MLC)两种类型。SLC用一个存储单元存放一个比特的信息,而MLC一个存储单元则可以存放两个字比特的信息,因此MLC有着成本上的天然优势,随着市场对NAND Flash容量越来越大的需求,MLC的应用逐渐广泛。但也由于其特殊的物理结构,MLC的可靠性相对于SLC要差地多,因此在取得成本优势的同时提高MLC可靠性成了必须解决的问题。

NAND Flash在量产时,一般是使用专门的烧录器将烧写数据写入到NAND Flash,然后通过高温贴片方式将NAND Flash贴片到电路板上。但是高温贴片可能会使其中已经写好的数据发生损坏,从而影响产品质量。

发明内容

本发明主要解决的技术问题是提供一种NAND Flash烧写数据的处理、使用方法及装置、系统,能够使低成本的MLC NAND Flash大规模应用于产品中,在保证生产效率的同时还能确保NAND Flash的可靠性。

为解决上述技术问题,本发明采用的一个技术方案是:提供一种NAND Flash烧写数据的处理方法,在烧写数据之前,包括:识别出NANDFlash烧写数据中的所有半空块,所述半空块是烧写数据中部分页写有数据、其余页空白的块;在所有所述半空块的所有空白页中写入预设标记字符,以使所述半空块均转换为全满块,所述全满块是每页均写有数据的块,所述预设标记字符用于区别写入预设标记字符的块与其他全满块。

为解决上述技术问题,本发明采用的另一个技术方案是:提供一种NAND Flash的使用方法,所述方法包括:系统上电时,判断所述NANDFlash烧写数据块中是否存在预设标记字符,所述预设标记字符用于区别写入预设标记字符的半空块与其他全满块;若所述NAND Flash烧写数据块中存在预设标记字符,则将所述存在预设标记字符的块中的有效数据写入空白块,并对所述存在预设标记字符的块进行擦除处理。

为解决上述技术问题,本发明提供的又一种技术方案是:提供一种NAND Flash烧写数据的处理装置,所述装置包括识别模块和写入模块,其中:所述识别模块用于识别出NAND Flash烧写数据中的所有半空块,所述半空块是烧写数据中部分页写有数据、其余页空白的块;所述写入模块用于在所有所述半空块的所有空白页中写入预设标记字符,以使所述半空块均转换为全满块,所述全满块是每页均写有数据的块,所述预设标记字符用于区别写入预设标记字符的块与其他全满块。

为解决上述技术问题,本发明提供的还有一种技术方案是:提供一种NAND Flash的运行系统,所述运行系统包括判断模块和处理模块,其中:所述判断模块用于在系统上电时,判断所述NAND Flash烧写数据块中是否存在预设标记字符,所述预设标记字符用于区别写入预设标记字符的半空块与其他全满块;所述处理模块用于在所述NAND Flash烧写数据块中存在预设标记字符,则将所述存在预设标记字符的块中的有效数据写入空白块,并对所述存在预设标记字符的块进行擦除处理。

本发明的有益效果是:区别于现有技术的情况,本发明通过在烧写数据之前,识别出NAND Flash烧写数据中的部分页写有数据、其余页空白的所有半空块,在所有半空块的所有空白页中写入预设标记字符,以使半空块均转换为每页均写有数据的全满块,其中预设标记字符用于区别写入预设标记字符的块与其他全满块。通过这样的方式,对半空块进行处理,使得烧写数据块都满足每个页都空或者每个页都写有数据的要求,从而避免高温贴片时已烧写数据出现损坏,提高产品质量和可靠性。

附图说明

图1是本发明提供的一种NAND Flash烧写数据的处理方法一个实施方式的流程图;

图2是本发明提供的一种NAND Flash的使用方法一个实施方式的流程图;

图3是本发明提供的一种NAND Flash烧写数据的处理装置一个实施方式的结构示意图;

图4是本发明提供的一种NAND Flash的运行系统一个实施方式的结构示意图。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海晨思电子科技有限公司;晨星半导体股份有限公司,未经上海晨思电子科技有限公司;晨星半导体股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310746872.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top