[发明专利]发光二极管封装方法在审
申请号: | 201310747520.4 | 申请日: | 2013-12-31 |
公开(公告)号: | CN104752583A | 公开(公告)日: | 2015-07-01 |
发明(设计)人: | 张书修;陈滨全;陈隆欣;曾文良 | 申请(专利权)人: | 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48 |
代理公司: | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 | 代理人: | 叶小勤 |
地址: | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 封装 方法 | ||
1.一种发光二极管封装方法,包括以下步骤:
第一步,提供一具有粘性的薄膜层并将多个发光二极管晶粒设置在薄膜层上,各发光二极管晶粒的两个电极均贴设在薄膜层上;
第二步,形成一封装层在薄膜层上并使封装层覆盖所述多个发光二极管晶粒;
第三步,在每两个相邻的发光二极管晶粒之间切割封装层以形成切割道,多个切割道贯穿封装层并止于薄膜层,从而每两个相邻的切割道之间形成一个发光二极管单元,每个发光二极管单元包括一个发光二极管晶粒和覆盖该发光二极管晶粒的封装层;
第四步,移除薄膜层,以获得多个分离的发光二极管单元。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装方法,其特征在于,所述薄膜层为UV薄膜或聚酰亚胺薄膜。
3.如权利要求1所述的发光二极管封装方法,其特征在于,所述第一步将多个发光二极管晶粒通过覆晶方式设置在薄膜层上。
4.如权利要求1所述的发光二极管封装方法,其特征在于,所述第二步通过涂布、印刷、压膜或转模的方法使封装层覆盖所述薄膜层设有发光二极管晶粒的表面上。
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