[发明专利]用于OLED光取出的光栅结构有效
申请号: | 201310747613.7 | 申请日: | 2013-12-31 |
公开(公告)号: | CN103700783B | 公开(公告)日: | 2018-03-20 |
发明(设计)人: | 李曼;张国辉;刘嵩;谢静 | 申请(专利权)人: | 北京维信诺科技有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/54 |
代理公司: | 北京汇泽知识产权代理有限公司11228 | 代理人: | 刘淑敏 |
地址: | 100085 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 oled 取出 光栅 结构 | ||
技术领域
本发明涉及光取出技术,尤其涉及用于OLED光取出的光栅结构。
背景技术
根据经典射线光学理论计算,在传统的底部发光的有机发光二极管(OLED)中,由基底出射光仅占发光层产生光的20%,其余的光通过基底波导模式、ITO/有机层波导模式、阴极等离子体模式损失掉,远远不能满足照明和显示的技术要求。有人通过在基板和阳极之间插入折射率高低交替的结构增强光取出,然而高折射率部分与基板接触面积大,提取效果并不理想。
发明内容
有鉴于此,本发明的主要目的在于提供一种用于OLED光取出的光栅结构,通过在玻璃基板和透明阳极之间插入折射率高低交替、截面为梯形或三角形的光栅结构以取出波导模式的光,通过控制梯形的角度及高折射率部分与基板的接触面积,从而提高OLED器件或屏体的光取出效率。
为达到上述目的,本发明的技术方案是这样实现的:
一种用于OLED光取出的光栅结构,在玻璃基板和透明阳极之间设置有高低折射率区域交替排列成的栅格结构;所述低折射率区域的横截面为封闭图形,其中与玻璃基板相对的边a平行于与玻璃基板接触的边b,且0≤a≤b(b≠0);所述高折射率区域的材料折射率不小于1.8,所述低折射率区域的材料的折射率不大于1.5。
其中,所述低折射率区域的材料为透明光刻胶,或为在所述透明光刻胶中掺入一定比例的低折射率材料制成的掺杂材料。
所述光刻胶的成份为:5~30 wt%的包括分子量为30000~90000的酚醛清漆树脂和分子量为3500~10000的分级酚醛清漆树脂的混合聚合物树脂;2~10 wt%的二叠氮化物类型感光化合物;0.1~10 wt%的光敏剂;及60~90 wt%有机溶剂。
所述掺杂材料中的低折射率材料为SiO2、AlF3、BaF2、CaF2、LiF、MgF2、NaF或Na2AlF6之一。
所述高折射率区域的材料填充在所述低折射率区域的材料之间。
所述高折射率区域的材料为:ZnSe、ZnS、TiO2、ZrO2、BaS、BaTiO3、CaO、Gd2O3、Eu2O3、ITO之一或其任意组合的混合物。
所述低折射率区域构成的栅格结构为任意多边形水平排列组成的网状结构。
所述任意多边形为正三角形、正四边形或正六边形。
所述低折射率区域的厚度d2和宽度b大于光波长发生衍射的长度。
低折射率区域构成的网状栅格的宽度b为0.5 μm~5 μm,所述网状栅格的间隔为2 μm~10 μm,所述网状栅格的厚度为在0.1 μm~10 μm,优选为0.1μm~5μm。
本发明所提供的用于OLED光取出的高低折射率光栅结构,具有以下优点:
在玻璃基板和OLED阳极之间加入折射率高低交替的光栅结构取出波导模式的光,采用高折射率材料与基板接触减少全反射,从而提高OLED器件或屏体的效率。
附图说明
图1为本发明用于OLED光取出的高低折射率光栅结构的实施例一截面示意图;
图2为本发明用于OLED光取出的高低折射率光栅结构的另一实施例截面示意图;
图3为本发明用于OLED光取出的高低折射率光栅结构又一实施例截面示意图;
图4为本发明的光栅结构中高低折射率分布示意图。
具体实施方式
下面结合附图及本发明的实施例对本发明的高低折射率光栅结构作进一步详细的说明。
图1、图2均为本发明用于OLED光取出的高低折射率光栅结构实施例的截面示意图。如图1、图2所示,光线从反射电极1向基板5方向输出,所述反射电极1与透明阳极3之间为发光层3。在玻璃基板5和透明阳极3之间设置高低折射率区域交替排列成的栅格结构4。所述低折射率区域的横截面为封闭图形,其中与玻璃基板5相对的边a平行于与玻璃基板5接触的边b,且0≤a≤b(b≠0)。所述高折射率区域的材料折射率不小于1.8,所述低折射率区域的材料的折射率不大于1.5。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择