[发明专利]一种液晶显示器的阵列基板的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及薄膜晶体管液晶显示器（Thin Film Transistor liquid crystal display，TFT-LCD）的制造技术，特别涉及一种液晶显示器的阵列基板的制造方法。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器是目前主流的液晶显示器。

现有的薄膜晶体管液晶显示器的液晶面板包括有阵列基板和彩膜基板。阵列基板的典型结构是包括衬底基板；衬底基板上形成有横向及纵向交叉的数据线和栅线；数据线和栅线围设形成矩阵形式排列的像素单元；每个像素单元包括TFT开关和像素电极；TFT开关包括栅电极、源电极、漏电极和有源层；栅电极连接栅线，源电极连接数据线，漏电极连接像素电极，有源层形成在源电极和漏电极与栅电极之间。衬底基板上一般还形成有公共电极线，用于向公共电极输入公共电压。

为了提高TFT-LCD阵列基板的制造良率，通常会在形成源电极、漏电极之后增加一道栅极引线连接区（pad区）的过孔掩模工艺，这无疑会增加基板的制造成本，另外，会增加由于均匀性不良而导致的源/漏层短路的几率。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，提供一种液晶显示器的阵列基板的制造方法，可以降低成本，并能改善阵列基板的性能。

为了解决上述技术问题，本发明的实施例的一方面提供了一种阵列基板的制造方法，包括：

在衬底基板上形成栅金属薄膜，在所述栅金属薄膜上涂覆光刻胶，并采用第一单色调掩膜板，形成包括有栅极扫描线及栅电极的图案，并通过灰化去除相应光刻胶；

在形成上述图案的衬底基板上连续沉积栅绝缘层薄膜、有源层薄膜和源漏金属薄膜，在所述源漏金属薄膜上涂覆光刻胶，并采用一灰阶掩膜板对光刻胶进行曝光显影，并利用光刻胶灰化工艺及刻蚀，形成源电极、漏电极、沟道以及公共电极引线连接区及栅极引线连接区的过孔，其中，所述灰阶掩膜板对应有三种以上的光线透过率；

在形成上述图案的衬底基板上通过光刻工艺形成钝化层；

在形成上述图案的衬底基板上通过光刻工艺形成像素电极。

其中，在形成上述图案的衬底基板上连续沉积栅绝缘层薄膜、有源层薄膜和源漏金属薄膜，在所述源漏金属薄膜上涂覆光刻胶，并采用一灰阶掩膜板对光刻胶进行曝光显影，并利用光刻胶灰化工艺及刻蚀，形成源电极、漏电极、沟道以及公共电极引线连接区及栅极引线连接区的过孔的步骤，具体为：

在形成上述图案的衬底基板上连续沉积栅绝缘层薄膜、有源层薄膜和源漏金属薄膜，在所述源漏金属薄膜上涂覆光刻胶，并采用一灰阶掩膜板对光刻胶进行曝光显影，通过所述灰阶掩膜板至少在源电极区域、漏电极区域形成第一厚度区域，在沟道区域上方形成第二厚度区域，在公共电极引线连接区及栅极引线连接区的上方形成第四厚度区域，在其他区域形成第四厚度区域的光刻胶图案；

进行刻蚀，刻蚀掉所述第四厚度区域处的源漏金属薄膜、半导体层薄膜和栅绝缘层薄膜，形成及公共电极引线连接区及栅极引线连接区的过孔，并通过灰化去除所述第三厚度区域的光刻胶；

进行刻蚀，刻蚀掉所述第三厚度区域处的源漏金属薄膜和半导体层薄膜，并通过灰化去除所述第二厚度区域的光刻胶；

进行刻蚀，刻蚀所述第二厚度区域处的源漏金属薄膜，以形成沟道，并将剩余光刻胶剥离，以形成源电极、漏电极。

其中，所述灰阶掩膜板对应于所述第一厚度区域对光线具有第一透过率，对应于所述第二厚度区域对光线具有第二透过率，对应于所述第三厚度区域对光线具有第三透过率，对应于所述第四厚度区域对光线具有第四透过率。

其中，所述第一厚度大于所述第二厚度，所述第二厚度大于所述第三厚度，所述第三厚度大于所述第四厚度；所述第一透过率小于所述第二透过率，所述第二透过率小于所述第三透过率，所述第三透过率小于所述第四透过率。

其中，所述第四厚度为零；所述第一透过率为0/3，所述第二透过率为1/3，所述第三透过率为2/3，所述第四透过率为3/3。

其中，其特征在于，所述在衬底基板上形成栅金属薄膜的步骤包括：

采用溅射或热蒸发的方法在所述衬底基板上沉积厚度为1000 ? ~6000?的栅金属薄膜。

其中，所述在形成上述图案的衬底基板上连续沉积栅绝缘层薄膜、有源层薄膜和源漏金属薄膜的步骤包括：

采用化学气相沉积方法，在所述衬底基板上依次沉积厚度为2000 ? ~5000?的栅绝缘层薄膜、厚度为1000 ? ~3000?的半导体层薄膜，然后采用磁控溅射或热蒸发方法，沉积厚度为1000 ? ~6000?的源漏金属薄膜。