[发明专利]一种液晶显示装置及相应的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及薄膜晶体管液晶显示装置（Thin Film Transistor liquid crystal display，TFT-LCD）的制造领域，特别涉及一种液晶显示装置及相应的制造方法。

背景技术

如图1所示，是现有的一种PSVA模式（高分子安定化垂直配向，Polymer Stabilization Vertical-Alignment）的液晶显示装置常用的像素电极的示意图；在图中示出了一个像素电极。在现有的这种PSVA模式的液晶显示装置中，其像素电极被设计为“米”字型，由中间的竖直主干80，水平主干81和与x轴夹角为±45度，±135度的分支82三部分组成。其中竖直主干80和水平主干81将像素面积平均分成4个区域，每个区域都由斜向45度的分支82平铺组成。

如图2所示，是对图1的像素电极施加电压后的液晶倒向示意图；图2是是采用对图1的像素电极施加4V的电压后，液晶分子90由像素电极外侧开始逐渐向内侧倾倒。倾倒的角度是沿切口方向（即沿分支82的方向，如图中箭头方向所示），4个区域的液晶倾倒方向分别为±45度，±135度，都指向像素的中央区域。如上图所示液晶倒向与x轴的夹角为：第一象限为-135度，第二象限为-45度，第三象限为45度，第四象限为135度。现有的PSVA制程是通过将像素电极设计成“米”字形来控制液晶分子的配向来改善大视角色偏的问题。

但是现有的这种方式强烈依赖于电极设计，其在显示区会产生明显的亮暗条纹，这样会降低光线的穿透率，从而影响到显示的效果和亮度。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，提供一种液晶显示装置及相应的制造方法，配向效果好，且可以改善大视角色偏和提高开口率。

为了解决上述技术问题，本发明提供一种液晶显示装置，包括：TFT阵列基板，具有第一电极层与覆盖所述第一电极层的第一配向层，在所述TFT阵列基板的玻璃基板与钝化层之间形成彩膜层，还设置有黑矩阵和间隙子；CF基板，具有第二电极层与覆盖所述第二电极层的第二配向层；液晶层，配置于所述TFT阵列基板的第一配向层与所述CF基板的第二配向层之间；其中，所述第一配向层与所述第二配向层均被划分为至少一个分区，每一分区被分成多个配向区，所述第一配向层与所述第二配向层相对应的配向区其预定的配向方向相互垂直；在对所述第一配向层与所述第二配向层的各配向区分别采用不同方向的线偏振光进行照射，所述对每一配向区照射的线偏振光的偏振方向与所述配向方向相适应，从而在所述第一配向层与所述第二配向层上形成具有对应于各配向区的预定的配向方向的配向膜。

其中，所述TFT阵列基板进一步包括：玻璃基板、栅线、半导体层以及数据线。

其中，所述黑矩阵设置在所述TFT阵列基板的钝化层之上；或者设置在所述TFT阵列基板的玻璃基板之上，栅线之下；或者设置在所述TFT阵列基板的玻璃基板之上，栅线的两侧；或者设置在所述TFT阵列基板的彩膜层与数据线之间。

其中，所述间隙子设置在所述黑矩阵之上；或者设置在所述TFT阵列基板的钝化层之上。

其中，所述彩膜层的材料包括骨胶、亚克力、聚亚酰胺以及聚酯中的任一种。

其中，所述每一分区由两条互相垂直的分隔线分成四个配向区，所述四个配向区中至少有两个配向区的预定的配向方向不相同。

其中，所述第一电极层为像素电极层，所述第二电极层为共用电极层。

本发明还提供一种液晶显示装置的制造方法，包括步骤：

提供TFT阵列基板与CF基板，在TFT阵列基板的玻璃基板与钝化层之间形成彩膜层，在所述TFT阵列基板的第一电极层上涂布偏振光敏感材料形成第一配向层，在所述CF基板的第二电极层上涂布偏振光敏感材料形成第二配向层；

将所述第一配向层与所述第二配向层均划分成至少一个分区，各分区包含多个配向区，所述第一配向层与所述第二配向层相对应的配向区其预定的配向方向相互垂直；

对所述第一配向层与所述第二配向层的各配向区分别采用不同方向的线偏振光进行照射，所述对每一配向区照射的线偏振光的偏振方向与所述配向方向相适应，从而在所述第一配向层与所述第二配向上形成具有对应于各配向区的预定的配向方向的配向膜；

对所述TFT阵列基板上的第一电极层和CF基板上的第二电极层通电，使液晶盒中的液晶分子完成配向；

将黑矩阵设置在所述TFT阵列基板上；以及

将间隙子设置在所述TFT阵列基板上。