[发明专利]一种晶圆级白光LED芯片的制备方法及其实现装置

权利要求书

1.一种晶圆级白光LED芯片的制备方法，其特征在于包括如下步骤：在生长衬底上外延生长铟镓铝氮半导体发光薄膜，形成垂直结构的铟镓铝氮发光二极管晶圆片；

在所述晶圆片上贴合一网状掩膜体，其中所述网状掩膜体的掩膜图形覆盖了所述晶圆片上所有芯片的n电极焊盘；

在所述贴合了网状掩膜体的晶圆片上涂覆荧光胶；

用刮刀刮平所述荧光胶并对其进行脱泡和初步固化；

将所述网状掩膜体与晶圆片分离；

二次固化所述荧光胶；

对所述晶圆片划片获得单颗芯片。

2.根据权利要求1所述的一种晶圆级白光LED芯片的制备方法，其特征在于所述晶圆片的芯片阵列之间的切割道大于20um。

3.根据权利要求1所述的一种晶圆级白光LED芯片的制备方法，其特征在于所述网状掩膜体的材料包括下列材料中的一种：金属、高分子材料。

4.根据权利要求1所述的一种晶圆级白光LED芯片的制备方法，其特征在于所述掩膜图形的厚度不小于20um，形成方法包括下列方法中的一种：电镀、冲压、化学腐蚀。

5.根据权利要求1所述的一种晶圆级白光LED芯片的制备方法，其特征在于所述网状掩膜体上的漏印区与n电极焊盘边界的交叠区宽度不小于荧光胶厚度的50%。

6.根据权利要求1所述的一种晶圆级白光LED芯片的制备方法，其特征在于所述刮刀的刀刃轮廓与晶圆片的翘曲度相匹配。

7.根据权利要求1所述的一种晶圆级白光LED芯片的制备方法，其特征在于所述网状掩膜体与晶圆片分离的方法包括下列方法中的一种：一次性瞬间分离、卷绕分离、溶剂溶解分离。

8.一种用于制备晶圆级白光LED芯片的装置，其特征在于包括：

装夹网状掩膜体的装载装置；

与所述装载装置相互平行并能真空吸住晶圆片的承载装置；

位于所述装载装置上方的点胶装置；

抽真空装置；

垂直高度可调并做平面移动的刮刀装置；

加热装置；

等离子体清洗装置；

反光探头检测装置。

9.根据权利要求8所述的一种用于制备晶圆级白光LED芯片的装置，其特征在于所述装载装置能够实现平面旋转和三维移动，承载装置能够实现转速可调的平面旋转和三维移动，加热装置的温度和时间可调。