[发明专利]低维持电流PPTC过流保护器及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201310749761.2 申请日: 2013-12-30
公开(公告)号: CN103762052A 公开(公告)日: 2014-04-30
发明(设计)人: 徐行涛;李大军;朱建娟 申请(专利权)人: 深圳市慧瑞电子材料有限公司
主分类号: H01C7/02 分类号: H01C7/02;H01C7/13;H01C13/02
代理公司: 深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙) 44248 代理人: 胡玉
地址: 518000 广东省深圳市龙岗区龙*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 维持 电流 pptc 保护 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种低维持电流PPTC过流保护器,包括两个金属箔片及一叠设于所述两个金属箔片中间的PPTC导电材料层,其特征在于:所述两个金属箔片表面各焊接有一个引出金属电极,所述PPTC材料层外露部分、金属箔外表面及金属电极上焊接部分表面都包覆有绝缘层;所述PPTC导电材料层按重量计,包括40~50%的结晶性聚合物,0.5~10%的界面相容剂,40~55%的导电炭黑和1~10%的耐电压增强剂,所述PPTC导电材料层中各材料的组分之和为100%;所述PPTC导电材料层的体积电阻率小于2.0Ω.cm;PPTC过流保护器的电阻值小于1.0Ω。

2.根据权利要求1所述的低维持电流PPTC过流保护器,其特征在于:所述结晶性聚合物为结晶性烯烃聚合物,熔点低于115℃。

3.根据权利要求1所述的低维持电流PPTC过流保护器,其特征在于:所述界面相容剂为极性基团接枝烯烃聚合物,熔点低于115℃。

4.根据权利要求1所述的低维持电流PPTC过流保护器,其特征在于:所述导电炭黑,平均粒径介于20~120nm之间,吸油值介于40cm3/100g ~ 150cm3/100g之间。

5.根据权利要求1所述的低维持电流PTC过流保护器,其特征在于:所述耐电压增强剂,为金属氧化物或金属氢氧化物,选自氧化锌、氧化镁、氧化铝、氢氧化镁、氢氧化铝的一种或几种。

6.根据权利要求2所述的低维持电流PPTC过流保护器,其特征在于:所述的结晶性烯烃聚合物选自低密度聚乙烯、线型低密度聚乙烯、极低密度聚乙烯、超低密度聚乙烯及乙烯- α烯烃共聚物中的一种或几种。

7.根据权利要求3所述的低维持电流PPTC过流保护器,其特征在于:所述极性基团接枝烯烃聚合物,为马来酸酐接枝烯烃聚合物,选自马来酸酐接枝低密度聚乙烯、马来酸酐接枝线型低密度聚乙烯、马来酸酐接枝乙烯- α烯烃共聚物中的至少一种。

8.根据权利要求1所述的低维持电流PPTC过流保护器,其特征在于:两个金属箔片及叠设于所述两个金属箔片中间的PPTC导电材料层共同构成PPTC芯片,其PPTC芯片的面积小于20mm2

9.一种根据权利要求1所述的低维持电流PPTC过流保护器的制造方法,其特征在于:包括以下步骤:

a.将所述结晶性聚合物、所述界面相容剂、所述导电炭黑和所述耐电压增强剂按照40~50%:0.5~10%:40~55%:1~10%的重量比加入到密炼机中,在所述结晶性聚合物的熔点以上10~60℃下密炼10~20min,得到PPTC导电材料,再经开炼机拉片,热压机模压,得到厚度为0.15~0.20mm的PPTC导电材料层;

b.将上述PPTC导电材料层放入模具,同时两张金属箔片分别放在PPTC材料层的上下表面,经热压机压合,得到PPTC导电材料层与金属箔片的复合体;

c.将所述PPTC材料与金属箔片复合体冲切成PPTC芯片,然后对PPTC芯片退火热处理,条件是在所述结晶性聚合物的熔点以上10~50℃放置60分钟,然后缓慢冷却到室温;

d.热处理后的所述PPTC芯片通过高能电子束或γ射线辐照进行交联,辐照剂量为5到30Mrads。

10.根据权利要求9所述的低维持电流PPTC过流保护器的制造方法,其特征在于:在回流焊或焊锡炉设备中将辐照好的PPTC芯片上下表面焊接两个金属电极,经超声波清洗,然后在PPTC芯片上下表面和侧面露出PPTC材料的部分、以及金属电极的焊接部分表面包覆绝缘层,制成PPTC过流保护器。

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