[发明专利]一种举升装置、反应腔室及等离子体加工设备在审
申请号: | 201310749800.9 | 申请日: | 2013-12-31 |
公开(公告)号: | CN104752303A | 公开(公告)日: | 2015-07-01 |
发明(设计)人: | 管长乐 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/00 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 装置 反应 等离子体 加工 设备 | ||
1.一种举升装置,包括顶针驱动机构和至少三个顶针,所述至少三个顶针与所述顶针驱动机构连接,用于在所述顶针驱动机构的驱动下作升降运动,其特征在于,所述顶针包括上部和下部,且所述顶针下部的水平截面直径大于所述顶针上部的水平截面直径。
2.根据权利要求1所述的举升装置,其特征在于,所述顶针上部与顶针下部之间还设有将其二者连接的连接部,所述连接部的水平截面直径大于所述顶针上部的水平截面直径,且小于所述顶针下部的水平截面直径。
3.根据权利要求1所述的举升装置,其特征在于,所述顶针上部包括第一子顶针,所述顶针下部包括第二子顶针,且所述第二子顶针的上端设有安装孔,所述第一子顶针安装于所述安装孔内。
4.根据权利要求2所述的举升装置,其特征在于,所述连接部包括沿竖直方向依次连接的多个第三子顶针,其中,位于最上方的第三子顶针与所述顶针上部连接,位于最下方的第三子顶针与所述顶针下部连接;并且,
在所述多个第三子顶针中,位于下方的第三子顶针的水平截面直径大于位于上方的第三子顶针的水平截面直径。
5.根据权利要求4所述的举升装置,其特征在于,所述位于最上方的第三子顶针的上端设有安装孔,所述顶针上部安装于所述安装孔内。
6.根据权利要求3所述的举升装置,其特征在于,所述第一子顶针与所述安装孔以间隙配合的方式安装。
7.根据权利要求1所述的举升装置,其特征在于,所述顶针上部的长度大于4mm。
8.根据权利要求3所述的举升装置,其特征在于,所述第一子顶针的长度为20mm,水平截面直径为1.5~2mm;所述第二子顶针的长度为40~50mm,水平截面直径为4~6mm。
9.一种反应腔室,其内设有静电卡盘,所述静电卡盘上设有贯穿其厚度的通孔,且所述静电卡盘下方设有举升装置,其特征在于,所述举升装置采用权利要求1-8任意一项所述的举升装置,其中,所述通孔的数量与所述举升装置的顶针的数量相等,且其所在位置和所述顶针的位置相互对应,并且
所述通孔沿竖直方向具有不同的孔径,其分别与所述顶针的沿竖直方向依次分布的不同部分的水平截面直径相对应。
10.一种等离子体加工设备,包括反应腔室和机械手,其中,反应腔室用于对晶片进行工艺处理,其内设有静电卡盘,机械手用于向静电卡盘传输晶片,以及将置于静电卡盘上的晶片传输至反应腔室外部,其特征在于,所述反应腔室采用权利要求9所述的反应腔室。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造