[发明专利]氧化物薄膜晶体管及显示装置

权利要求书

1.一种氧化物薄膜晶体管，包括：

基板；

栅极，形成在所述基板上；

栅极绝缘层，形成在所述栅极上；

氧化物有源层，形成在所述栅极绝缘层上；

蚀刻阻挡层，形成在所述氧化物有源层上，且所述蚀刻阻挡层上具有开口；

源/漏电极，形成在所述蚀刻阻挡层上，所述源/漏电极通过接触层、并经由所述蚀刻阻挡层上的所述开口与所述氧化物有源层电连接；

其中，所述接触层由与所述氧化物有源层相同成分的氧化物材料制成，所述接触层与所述氧化物有源层的氧化物材料的含氧量不同，所述接触层表现为导体特性，所述氧化物有源层表现为半导体特性。

2.根据权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管，其中，所述栅极绝缘层和/或所述蚀刻阻挡层由所述相同成分的氧化物材料制成，所述栅极绝缘层和/或所述蚀刻阻挡层的氧化物材料与所述氧化物有源层的氧化物材料的含氧量不同，所述栅极绝缘层和/或所述蚀刻阻挡层表现为绝缘介质特性。

3.根据权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管，其中，所述栅极绝缘层与所述氧化物有源层之间和/或所述蚀刻阻挡层与所述氧化物有源层之间还包括由所述相同成分的氧化物材料制成的过渡层，所述过渡层的氧化物材料与所述氧化物有源层的氧化物材料的含氧量不同，所述过渡层表现为绝缘介质特性。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的氧化物薄膜晶体管，其中，所述相同成分的氧化物材料为IGZO。

5.一种氧化物薄膜晶体管，包括：

基板；

栅极，形成在所述基板上；

栅极绝缘层，形成在所述栅极上；

氧化物有源层，形成在所述栅极绝缘层上；

蚀刻阻挡层，形成在所述氧化物有源层上，且所述蚀刻阻挡层上具有开口；

源/漏电极，形成在所述蚀刻阻挡层上，所述源/漏电极经由所述蚀刻阻挡层上的所述开口与所述氧化物有源层电连接；

其中，所述栅极绝缘层和/或所述蚀刻阻挡层由与所述氧化物有源层相同成分的氧化物材料制成，所述栅极绝缘层和/或所述蚀刻阻挡层的氧化物材料的含氧量与所述氧化物有源层的氧化物材料的含氧量不同，所述氧化物有源层表现为半导体特性，所述栅极绝缘层和/或所述蚀刻阻挡层表现为绝缘介质特性。

6.根据权利要求5所述的氧化物薄膜晶体管，其中，所述源/漏电极与所述氧化物有源层之间还包括接触层，所述源/漏电极通过所述接触层与所述氧化物有源层电连接，所述接触层由与所述氧化物有源层相同成分的氧化物材料制成，所述接触层与所述氧化物有源层、所述栅极绝缘层、所述蚀刻阻挡层的氧化物材料的含氧量不同，所述接触层表现为导体特性。

7.根据权利要求5或6所述的氧化物薄膜晶体管，其中，所述相同成分的氧化物材料为IGZO。

8.一种氧化物薄膜晶体管，包括：

基板；

栅极，形成在所述基板上；

栅极绝缘层，形成在所述栅极上；

氧化物有源层，形成在所述栅极绝缘层上；

蚀刻阻挡层，形成在所述氧化物有源层上，且所述蚀刻阻挡层上具有开口；

源/漏电极，形成在所述蚀刻阻挡层上，所述源/漏电极经由所述蚀刻阻挡层上的所述开口与所述氧化物有源层电连接；

其中，所述栅极绝缘层与所述氧化物有源层之间和/或所述蚀刻阻挡层与所述氧化物有源层之间还包括由与所述氧化物有源层相同成分的氧化物材料制成的过渡层，所述过渡层的氧化物材料与所述氧化物有源层的氧化物材料的含氧量不同，所述氧化物有源层表现为半导体特性，所述过渡层表现为绝缘介质特性。

9.根据权利要求8所述的氧化物薄膜晶体管，其中，所述源/漏电极与所述氧化物有源层之间还包括接触层，所述源/漏电极通过所述接触层与所述氧化物有源层电连接，所述接触层由与所述氧化物有源层相同成分的氧化物材料制成，所述接触层与所述氧化物有源层、所述过渡层的氧化物材料的含氧量不同，所述接触层表现为导体特性。

10.根据权利要求8或9所述的氧化物薄膜晶体管，其中，所述相同成分的氧化物材料为IGZO。

11.一种显示装置，包括权利要求1至10中任一项所述的氧化物薄膜晶体管。