[发明专利]有机电子器件制造方法有效
申请号: | 201310750118.1 | 申请日: | 2013-12-31 |
公开(公告)号: | CN103915578B | 公开(公告)日: | 2019-01-29 |
发明(设计)人: | J·爱萨克;E·伯顿 | 申请(专利权)人: | 剑桥显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;B41M5/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 秦晨 |
地址: | 英国*** | 国省代码: | 英国;GB |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 电子器件 制造 方法 | ||
提供一种有机电子器件的制造方法,该方法包括:设置具有至少两组的材料沉积区域的基板,第一组区域用于所述器件的第一组元件,第二组区域用于所述器件的第二组元件,其中,所述第一组和第二组区域具有不同的沉积材料的各第一和第二目标厚度;设置沉积于所述第一组和第二组区域上的材料的至少一种溶液;和将所述材料溶液喷墨印刷于所述第一和第二组材料沉积区域上,其中,所述喷墨印刷包含:通过使用包含多个喷嘴的打印头沉积所述至少一种材料溶液,所述喷嘴的第一子集用于沉积到所述第一组区域上,所述喷嘴的第二子集用于沉积到所述第二组区域上;和为了沉积材料的所述不同的各第一和第二目标厚度,用第一驱动波形驱动所述第一组喷嘴并用第二不同驱动波形驱动所述第二组喷嘴。
技术领域
本发明涉及用于制造有机电子器件的技术,特别地,涉及诸如聚合物OLED(有机发光二极管)显示器的OLED器件。
背景技术
图1a表示典型的OLED器件10的断面图。它包括承载一般为ITO(氧化铟锡)的透明导电氧化物层14的基板12。该透明导电氧化物层14可被构图,一般具有约40nm的厚度。在其上面沉积一般包含诸如PSS:PEDOT(聚苯乙烯-磺酸酯掺杂的聚乙烯-二氧噻吩)的导电聚合物的空穴注入层(HIL)16。这有助于匹配ITO阳极和发光聚合物的空穴能级(也可有助于使ITO平坦化),其厚度一般为约30nm,但可能达到约150nm。一般在有机光伏器件中存在类似的层,以有利于提取空穴。此外,商业空穴注入材料是可从Plextronics Inc得到的。
在本例子中,空穴注入层之后是中间聚合物层即中间层(IL)18-也称为空穴传输层(HTL)。它由允许有效地传输空穴的空穴传输材料制成;它一般具有范围为20nm~60nm的厚度并且沉积于空穴注入层上,并且一般交联。可制成中间层的一种示例性材料是聚芴-三芳胺或类似材料的共聚物(Bradley等在Adv.Mater.Vol11,p241-246(1999)中以及在Li和Meng的Chapter2中描述了其它适当材料的例子,见下)。
在其之上沉积发光聚合物(LEP)20的一个或更多个层以形成LEP层或叠层;发光聚合物的典型例子是PPV(聚对苯撑乙烯)。例如包含氟化钠(NaF)的层和之后的铝层的阴极22沉积于LEP叠层上。任选地,可在LEP叠层20与阴极22之间沉积附加的电子传输层。
图1a所示的器件是底部发光器件,即,在LEP叠层中产生的光经由透明ITO阳极层通过基板耦合到器件外面。还能够通过使用例如厚度小于约100nm的薄的阴极层制造顶部发光器件。虽然图1的结构表示LED叠层,但也可对于小分子(和树枝状聚合物)器件使用相同的基本结构。
本领域技术人员可以理解,存在有机电子器件制造处理的许多变体,在其背景下,可使用我们已描述的技术。例如,ITO层可被省略而代以用作阳极层的空穴注入层16。另外,或者,作为替代方案,可通过下层的金属网(可任选地,通过使用细网线和/或薄金属而透明)支持空穴注入层16的导电性。例如,在边缘具有大面积的覆盖和连接的OLED照明瓦中,可以使用这种方法。任选地,可以使用诸如PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)或聚碳酸酯的柔性基板。
对于其它的分子有机二极管,例如,对于有机光伏器件,可以使用类似的基本结构。
图1b表示沉积活性颜色层中的一个之后的示例性三色活性矩阵像素化OLED显示器200的一部分的顶视图。该图表示限定显示器的像素的堤形物(bank)112和阱(well)的阵列。在颜色显示器中,不同的有色(子)像素可分别包含绿色、红色和蓝色发光聚合物层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择