[发明专利]导电薄膜的制备方法有效
申请号: | 201310750555.3 | 申请日: | 2013-12-31 |
公开(公告)号: | CN103680766A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 肖斐;金云霞 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | H01B13/00 | 分类号: | H01B13/00;H01B5/14;H01B1/16 |
代理公司: | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 成丽杰 |
地址: | 200433 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 导电 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种导电薄膜的制备方法,其特征在于,包含以下步骤:
将胺类化合物加入到金属盐或金属氧化物与溶剂的混合物中混合均匀,形成第一混合溶液;
将所述第一混合溶液与金属纳米线分散液混合均匀,形成第二混合溶液;
将所述第二混合溶液涂覆于基底上;
对所述涂覆有第二混合溶液的基底进行加热处理,形成金属纳米线导电薄膜。
2.根据权利要求1所述的导电薄膜的制备方法,其特征在于,在所述将胺类化合物加入到金属氧化物与溶剂的混合物中混合均匀,形成第一混合溶液的步骤之前,还包含以下步骤:
在所述金属氧化物与溶剂的混合物中加入氨水。
3.根据权利要求1所述的导电薄膜的制备方法,其特征在于,所述胺类化合物为以下任意一种或其任意组合:
氨水、乙胺、异丙胺、乙二胺、丙二胺、丁二胺、乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、异丙醇胺、二异丙醇胺或三异丙醇胺。
4.根据权利要求1所述的导电薄膜的制备方法,其特征在于,所述在形成第一混合溶液之后,在形成所述第二混合溶液之前,还包含以下步骤:
在所述第一混合溶液中加入低沸点溶剂;
所述低沸点溶剂为一种沸点低于100摄氏度的溶剂。
5.根据权利要求4所述的导电薄膜的制备方法,其特征在于,若所述第一混合溶液中溶剂含水,则在形成所述第一混合溶液之后,形成所述第二混合溶液之前,或在形成所述第二混合溶液之后加入高沸点溶剂;若所述第一混合溶液中的溶剂不含水,则在形成所述第一混合溶液之后,形成所述第二混合溶液之前,加入高沸点溶剂;
其中,所述高沸点溶剂为一种沸点在120~250摄氏度之间的溶剂。
6.根据权利要求4或5中所述的导电薄膜的制备方法,其特征在于,所述低沸点溶剂为水,乙醇,异丙醇,乙酸乙酯,丙酮,甲醇中的一种或几种的混合物;
若所述胺类化合物为醇胺类,则所述高沸点溶剂为乙二醇、正丁醇、正丁醚、乙二醇单甲醚、二乙二醇单甲醚、丙二醇、环己酮、醋酸丁酯或二甲苯中的一种或几种的混合物;
若所述胺类化合物不是醇胺类,则所述高沸点溶剂为乙二醇,或乙二醇与正丁醇、正丁醚、乙二醇单甲醚、二乙二醇单甲醚、丙二醇、环己酮、醋酸丁酯、二甲苯中的一种或几种的混合物。
7.根据权利要求1所述的导电薄膜的制备方法,其特征在于,所述胺类化合物与所述金属盐或金属氧化物的摩尔比为0.5~5。
8.根据权利要求1所述的导电薄膜的制备方法,其特征在于,在所述第二混合溶液中,所述金属盐或金属氧化物与所述金属纳米线分散液中的金属纳米线的摩尔比小于1。
9.根据权利要求1所述的导电薄膜的制备方法,其特征在于,所述金属盐或金属氧化物在所述第二混合溶液中的浓度小于或等于100毫摩尔每升;
所述金属纳米线分散液中的金属纳米线在所述第二混合溶液中的浓度为0.1~10毫克每毫升。
10.根据权利要求1所述的导电薄膜的制备方法,其特征在于,所述金属盐为硝酸银或羧酸银;
所述金属氧化物为氧化银;
所述金属纳米线分散液中的金属纳米线为银纳米线。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的导电薄膜的制备方法,其特征在于,所述加热处理的温度为60~120摄氏度,所述加热处理的时间为1~60分钟。
12.根据权利要求1至10中任一项所述的导电薄膜的制备方法,其特征在于,所述涂覆的方式为喷涂、刮涂、旋涂或印刷。
13.根据权利要求1至10中任一项所述的导电薄膜的制备方法,其特征在于,所述基底为透明或不透明的柔性或刚性物质。
14.根据权利要求1至10中任一项所述的导电薄膜的制备方法,其特征在于,所述基底为玻璃或聚对苯二甲酸乙二醇酯PET。
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