[发明专利]一种中药渣做基质的栽培方法有效
申请号: | 201310750898.X | 申请日: | 2013-12-30 |
公开(公告)号: | CN103771923A | 公开(公告)日: | 2014-05-07 |
发明(设计)人: | 郭柏峰;潘胜阳;马丽;金湘瓯 | 申请(专利权)人: | 杭州赛石园林集团有限公司 |
主分类号: | C05F11/08 | 分类号: | C05F11/08;C05F17/00;C05G3/00 |
代理公司: | 杭州赛科专利代理事务所 33230 | 代理人: | 曹绍文 |
地址: | 310012 浙江省杭州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 药渣 基质 栽培 方法 | ||
技术领域
本发明涉及中药渣的处理技术,具体地说是一种中药渣做基质的栽培方法。
背景技术
我国是中药生产大国,每年生产中药药渣约几十万吨,因中药药渣对环境有不同程度的污染,一般都采用填埋的方法进行处理,这不仅占用了大量的土地资源,污染了土地及地下水,而且还造成资源的浪费。因为中药药渣中不仅含有丰富的有机质,糖类和粗蛋白质以及微量元素等营养物质,而且现有的提取方法和制剂的过程中,中药还有大量的活性成分未提取出,造成浪费。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术的不足,提供了一种中药渣做基质的栽培方法,中药渣通过发酵后作为基质培养园林苗木,中药渣在经过自然发酵后富含各种矿质元素。
为此,本发明采取如下技术方案:一种中药渣做基质的栽培方法,其特征在于步骤如下:
(1)将第一堆中药渣堆积起来,定期喷水维持药渣湿度在40%-50%,覆盖塑料薄膜进行发酵,发酵温度可达到60℃左右,开始第一次翻动,根据发酵温度变化,每1到2天彻底翻动一次。使发酵过程温度控制在45℃以下(天气炎热的情况需要每天早晚各翻动一次,确保温度不要太高)。每翻动一次后使用5到10厘米尖头棒在堆内打透气孔,注意补水,湿度40—50%。持续发酵一年,为后续发酵提供发酵菌种;
(2)将第二堆中药残渣堆积起来,保持药渣湿度在40%-50%,按照800~1200:1的重量配比混合前期处理的发酵菌种和第二堆中药残渣,并向第一堆药渣中添加新的中药渣并搅拌均匀,确保第一堆药渣总量保持不变,有利于可持续发酵。
(3)将第二堆中药残渣盖好塑料薄膜保证湿度,并定时翻动药渣及喷水,温度控制在45℃以下,湿度在40%-50%,继续发酵2个月。
作为优选,步骤(3)中翻动药渣控制堆心温度不超过50度。
作为优选,步骤(1)中第一堆中药渣的发酵时间为1年。
作为优选,发酵菌种和第二堆中药残渣的混合配比为1000:1。
一种含中药渣的复配基质,含有以下质量百分比的原料:30%松鳞、15%东北泥炭、50%黄土和5%经权利要求1-4制作的中药渣。
还含有爱贝斯(18-6-12)缓释肥3-4kg/m3和微量元素肥料0.5kg/m。
本发明节约能源,能合理利用可回收资源,开发出新型的含有中药渣的植物生长基质,发酵后的中药渣,测试其营养元素含量,其在氮、磷、钾及有机质含量均超过普通园土,能很好的应用于园林苗木栽培中。
具体实施例
下面结合具体实施例,进一步阐述本发明。
一种中药渣做基质的栽培方法:(1)将第一堆中药渣堆积起来,定期喷水维持药渣湿度在40%-50%,覆盖塑料薄膜进行发酵,发酵温度可达到60℃左右,开始第一次翻动,根据发酵温度变化,每1到2天彻底翻动一次。使发酵过程温度控制在45℃以下(天气炎热的情况需要每天早晚各翻动一次,确保温度不要太高)。每翻动一次后使用5到10厘米尖头棒在堆内打透气孔,注意补水,湿度40—50%。持续发酵一年,为后续发酵提供发酵菌种;
(2)将第二堆中药残渣堆积起来,保持药渣湿度在40%-50%,按照800~1200:1的重量配比混合前期处理的发酵菌种和第二堆中药残渣,并向第一堆药渣中添加新的中药渣并搅拌均匀,确保第一堆药渣总量保持不变,有利于可持续发酵。
(3)将第二堆中药残渣盖好塑料薄膜保证湿度,并定时翻动药渣及喷水,温度控制在45℃以下,湿度在40%-50%,继续发酵2个月。
中药残渣的营养元素分析;
使用发酵后的中药渣,测试其营养元素含量,使用普通园土做对照(表1)。结果显示发酵后的中药渣在氮、磷、钾及有机质含量均超过普通园土。
营养效果对比分析
表1中药渣营养元素分析
注:表中同一列*表示经t测验在0.05水平上差异显著。
一种含中药渣的复配基质由以下质量百分比的原料组成:包括30%松鳞、15%东北泥炭、50%黄土和5%经上述方法制备的中药渣。还可根据需要添加爱贝斯(18-6-12)缓释肥3-4kg/m3和微量元素肥料0.5kg/m。
采用该方法制备的复配基质,种子出苗率高,幼苗生长良好。
需要特别指出的是,上述实施例的方式仅限于描述实施例,但本发明不止局限于上述方式,且本领域的技术人员据此可在不脱离本发明的范围内方便的进行修饰,因此本发明的范围应当包括本发明所揭示的原理和新特征的最大范围。
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