[发明专利]一种等离子体处理装置及其运行方法有效

专利信息
申请号: 201310751529.2 申请日: 2013-12-31
公开(公告)号: CN104752141B 公开(公告)日: 2017-02-08
发明(设计)人: 许颂临;李俊良 申请(专利权)人: 中微半导体设备(上海)有限公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32
代理公司: 上海智信专利代理有限公司31002 代理人: 王洁
地址: 201201 上海市浦东新*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 等离子体 处理 装置 及其 运行 方法
【权利要求书】:

1.一种等离子体处理装置,包括:

反应腔,反应腔内包括一个基座,基座上设置有静电夹盘,待处理基片设置在所述静电夹盘上;

一调节环围绕在所述静电夹盘外围,其中所述调节环包括一个固定环和一个位于固定环上方的移动环,其中:

固定环围绕所述静电夹盘或基座,固定环上表面包括一个支持面,支持面上包括一个凹槽,所述移动环的底面形状与所述固定环的支持面匹配,所述移动环包括紧贴静电夹盘并位于待处理基片边缘下方的第一部分,所述第一部分具有第一高度的上表面,一个具有第二高度上表面的第二部分位于所述第一部分外围,所述移动环的第二部分下表面包括一个突出部与下方固定环上的凹槽位置匹配,

一个驱动装置驱动所述移动环的第二部分在较低的第一位置和较高的第二位置间上下移动,其中在移动到第二位置时所述突出部下端仍然位于凹槽中。

2.如权利要求1所述等离子体处理装置,其特征在于,所述移动环的突出部和凹槽具有垂直的侧壁,且在移动到第二位置时所述突出部侧壁与凹槽内侧壁的间距小于1mm。

3.如权利要求1所述等离子体处理装置,其特征在于,所述移动环的第一部分和第二部分同步升降。

4.如权利要求1所述等离子体处理装置,其特征在于,所述移动环的第一部分固定在所述固定环上方。

5.如权利要求1所述等离子体处理装置,其特征在于,所述第一部分和第二部分之间还包括过渡部分,过渡部分的上表面在第一高度和第二高度之间逐渐变化。

6.如权利要求2所述等离子体处理装置,其特征在于,所述移动环移动到第二位置时移动环下表面和固定环支持面之间存在间隙。

7.如权利要求1所述等离子体处理装置,其特征在于,所述调节环由石英或者碳化硅或者氧化铝制成。

8.如权利要求1所述等离子体处理装置,其特征在于,所述驱动装置包括一个驱动杆穿过所述固定环连接到移动环,所述驱动杆下端连接到一个用于使驱动杆上下可控移动的电机或者气缸。

9.一种如权利要求1所述等离子体处理装置的运行方法,其特征在于,多次完成对所述待处理基片的等离子处理后,所述驱动装置驱动所述移动环的第二部分上升,使移动环第二部分的上表面相对基片表面具有固定的高度差。

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