[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底上的绝缘膜，所述绝缘膜中包括沟槽；

所述沟槽内的栅极绝缘膜；

所述栅极绝缘膜上的界面陷阱密度改进膜，所述界面陷阱密度改进膜改进所述衬底的界面陷阱密度；以及

所述界面陷阱密度改进膜上的第一导电类型功函数调整膜。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一导电类型是P型。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中所述第一导电类型功函数调整膜包括Mo、Pd、Ru、Pt、TiN、WN、TaN、Ir、TaC、RuN和MoN中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述界面陷阱密度改进膜包括Al合金膜。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中所述界面陷阱密度改进膜包括TiAlC膜。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述界面陷阱密度改进膜具有至的厚度。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括所述栅极绝缘膜与所述界面陷阱密度改进膜之间的刻蚀防止膜，

其中所述刻蚀防止膜具有至的厚度。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括所述第一导电类型功函数调整膜上的第二导电类型功函数调整膜，其中所述第二导电类型与所述第一导电类型不同。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述第二导电类型是N型。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中所述第二导电类型功函数调整膜和所述界面陷阱密度改进膜包括相同的材料。

11.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括步骤：

在衬底上形成包括第一沟槽和第二沟槽的绝缘膜；

在所述第一沟槽和所述第二沟槽内形成栅极绝缘膜；

在所述栅极绝缘膜上形成界面陷阱密度改进膜，所述界面陷阱密度改进膜改进所述衬底的界面陷阱密度；以及

在所述界面陷阱密度改进膜上形成第一导电类型功函数调整膜。

12.根据权利要求11所述的形成半导体器件的方法，还包括步骤：

在形成所述第一导电类型功函数调整膜之后从所述第二沟槽中去除所述第一导电类型功函数调整膜；以及

在所述第一沟槽和所述第二沟槽内形成第二导电类型功函数调整膜，其中所述第二导电类型与所述第一导电类型不同。

13.根据权利要求12所述的形成半导体器件的方法，其中当去除了所述第一导电类型功函数调整膜时，防止去除所述第二沟槽内的界面陷阱密度改进膜。

14.根据权利要求12所述的形成半导体器件的方法，其中去除所述第一导电类型功函数调整膜的步骤还包括：

选择性地去除所述第二沟槽内的界面陷阱密度改进膜。

15.根据权利要求11所述的形成半导体器件的方法，还包括步骤：

在形成所述栅极绝缘膜之后在所述栅极绝缘膜上形成刻蚀防止膜；

在所述刻蚀防止膜上形成第二导电类型功函数调整膜；以及

从所述第一沟槽中选择性地去除所述第二导电类型功函数调整膜。

16.一种半导体器件，包括：

衬底；

所述衬底上的绝缘膜，所述绝缘膜中包括第一沟槽和第二沟槽；

所述第一沟槽和所述第二沟槽内的栅极绝缘膜；

在所述第一沟槽和所述第二沟槽内的所述栅极绝缘膜上的第一导电类型功函数调整膜；

所述第一沟槽内的第二导电类型功函数调整膜；以及

所述栅极绝缘膜上的界面陷阱密度改进膜，所述界面陷阱密度改进膜改进所述衬底的界面陷阱密度，

其中所述第二沟槽内没有所述第二导电类型功函数调整膜，其中所述第二导电类型与所述第一导电类型不同，并且其中所述第一导电类型功函数调整膜在所述第一沟槽和所述第二沟槽内的界面陷阱密度改进膜上。