[发明专利]调节TiW薄膜应力的PVD制备工艺有效
| 申请号： | 201310752241.7 | 申请日： | 2013-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN104746006A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 田立飞;夏威 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | C23C14/18 | 分类号： | C23C14/18;C23C14/35 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 陈振 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 调节 tiw 薄膜 应力 pvd 制备 工艺 | ||
1.一种调节TiW薄膜应力的PVD制备工艺，其特征在于，包括如下步骤：
S100：将待加工的基片置于基座上；
S200：通入第一流量的氩气；
S300：沉积步骤；对直流电源施加第一功率并保持第一预设时间；
S400：冷却步骤；停止对直流电源施加功率并保持第二预设时间；
S500：重复步骤S300和S400直至达到所需的薄膜厚度。
2.根据权利要求1所述的调节TiW薄膜应力的PVD制备工艺，其特征在于，所述第一预设时间为5s至30s，所述第二预设时间为60s至360s。
3.根据权利要求2所述的调节TiW薄膜应力的PVD制备工艺，其特征在于，在步骤S300之前还包括步骤S310：
S310：所述直流电源点火起辉。
4.根据权利要求2所述的调节TiW薄膜应力的PVD制备工艺，其特征在于，所述氩气的第一流量在整个制备工艺中保持不变。
5.根据权利要求4所述的调节TiW薄膜应力的PVD制备工艺，其特征在于，所述氩气的第一流量为40至200sccm。
6.根据权利要求1所述的调节TiW薄膜应力的PVD制备工艺，其特征在于，沉积气压在整个制备工艺中保持不变，所述沉积气压为2.0至7.3mT。
7.根据权利要求1所述的调节TiW薄膜应力的PVD制备工艺，其特征在于，所述直流电源的第一功率在整个制备过程中保持不变，所述直流电源的第一功率为100W至2000W。
8.根据权利要求1所述的调节TiW薄膜应力的PVD制备工艺，其特征在于，所制得的薄膜厚度为4000埃。
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