[发明专利]一种射频滤波器及半导体加工设备

说明书

本发明提供一种射频滤波器及半导体加工设备，射频滤波器用于对与静电卡盘相连接的射频功率源向与静电卡盘相连接的直流电源回流的射频信号进行滤波，包括电感元件和电容元件，电感元件为磁芯电感。本发明提供的射频滤波器，其可以在对低频的射频信号滤波同时可以对高频的射频信号滤波，从而可以同时对两路或者多路频率相差很大的射频信号滤波，进而可以提高射频滤波器的适用性。

技术领域

本发明属于半导体设备制造技术领域，具体涉及一种射频滤波器及半导体加工设备。

背景技术

在半导体器件的制造过程中，通常采用静电吸盘（Electrostatic Chuck，以下简称ESC）产生静电引力来吸附位于其上的半导体晶片，以实现在作为基片的该半导体晶片表面上进行沉积、刻蚀等工艺过程。

具体地，在ESC内设置有下电极，且该下电极与直流电源DC电连接，直流电源DC用于向下电极提供一定的直流偏压，以使ESC产生静电引力吸附基片；并且，由于在基片的表面上进行沉积、刻蚀等工艺过程是在等离子体的环境中进行的，因此借助射频功率源RF通过匹配器10与下电极电连接以激发形成等离子体。然而，由于直流电源DC和射频功率源RF均与下电极电连接，为了防止射频功率源RF输出的射频信号回流至直流电源DC中对其造成损坏，如图1所示，通常在直流电源DC的输出端串接射频滤波器11，以对射频功率源RF回流至直流电源DC的射频信号进行滤波。

目前，射频滤波器11通常采用空气芯电感和电容组成。并且，在实际应用中，射频功率源RF往往不仅输出高频功率信号，而且还输出低频功率信号，以借助高频功率信号（例如，40MHz、60MHz）来产生等离子体，借助低频功率信号（例如，20MHz）来控制等离子体入射至基片表面的能量，因此，该射频滤波器11需要同时对两路或者多路频率相差很大的射频信号进行滤波，但由于空气芯电感本身的特性，增大空气芯电感的电感值可以对低频的射频信号滤波，但会使得射频滤波器的自谐振频率降低，自谐振频率降低使得该射频滤波器不能对高频的射频信号滤波；减小空气芯电感的电感值可以使得射频滤波器的自谐振频率增大，自谐振频率增大使得该射频滤波器可以对高频的射频信号滤波，但由于减小空气芯电感的电感值不能对低频的射频信号滤波。

由上可知，采用空气芯电感的射频滤波器不能同时对两路或者多路频率相差很大的射频信号进行滤波。

发明内容

本发明旨在解决现有技术中存在的技术问题，提供了一种射频滤波器及半导体加工设备，可以在对低频的射频信号滤波同时可以对高频的射频信号滤波，从而可以同时对两路或者多路频率相差很大的射频信号滤波，进而可以提高射频滤波器的适用性。

本发明提供一种射频滤波器，用于对与静电卡盘相连接的射频功率源向与静电卡盘相连接的直流电源回流的射频信号进行滤波，包括电感元件和电容元件，所述电感元件为磁芯电感。

其中，所述磁芯电感包括磁芯环状电感和磁芯柱状电感。

其中，所述电感元件的数量为两个或者多个时，每个所述磁芯电感为磁芯环状电感。

其中，所述电感元件的数量为一个时，所述磁芯电感为磁芯环状电感或磁芯柱状电感。

其中，当所述射频功率源输出单一低频的射频信号时，或者，当所述射频功率源输出两路或者多路频率相差不大的低频信号时，所述电感元件为低频磁芯电感。

其中，当所述射频功率源输出单一高频的射频信号时，或者，当所述射频功率源输出两路或者多路频率相差不大的高频信号时，所述电感元件为高频磁芯电感。

其中，当所述射频功率源输出两路或者多路频率相差较大的射频信号时，所述电感元件为高频磁芯电感。

其中，所述直流电源输出一路正偏压、一路负偏压和一路基准电压，所述射频滤波器的数量为三个，且对应设置在所述直流电源的每路的输出端。