[发明专利]一种焦炉烘炉工艺

权利要求书

1.一种焦炉烘炉工艺，所述焦炉烘炉工艺包括以下步骤：

在焦炉温度低于800～850℃的情况下，采用在炭化室内燃烧燃气或固液燃料作为热源，通过焦炉炉体的传热以及设置在焦炉炉顶的烘炉孔的传热将热量均匀传递到焦炉砌体；

在焦炉温度达到800～850℃的情况下，使用地下室焦炉煤气系统加热，其中，在使用地下室焦炉煤气系统进行加热的过程中，将地下室支管中的煤气压力控制为不小于500Pa，并且每接通地下室焦炉煤气系统的煤气7～8min后，关闭地下室焦炉煤气系统的煤气60～70s，然后依次循环所述接通步骤和所述关闭步骤，以控制焦炉温度以17～22℃/天的速率均匀升高，从而使焦炉温度缓慢上升到1000～1070℃。

2.根据权利要求1所述的焦炉烘炉工艺，其特征在于，所述使用地下室焦炉煤气系统进行加热的步骤，同时进行焦炉炉顶热态工程作业。

3.根据权利要求1所述的焦炉烘炉工艺，其特征在于，所述焦炉烘炉工艺在焦炉温度低于820～830℃的情况下，进行所述采用炭化室燃烧步骤。

4.根据权利要求1所述的焦炉烘炉工艺，其特征在于，所述焦炉烘炉工艺在焦炉温度达到820～830℃的情况下，进行所述使用地下室焦炉煤气系统加热的步骤。

5.根据权利要求1所述的焦炉烘炉工艺，其特征在于，所述煤气压力为510～600Pa。

6.根据权利要求1所述的焦炉烘炉工艺，其特征在于，所述使用地下室焦炉煤气系统加热的步骤，使焦炉温度缓慢上升到1010～1050℃。

7.根据权利要求1所述的焦炉烘炉工艺，其特征在于，所述使用地下室焦炉煤气系统加热步骤的加热时间为10～15天。