[发明专利]双轴张应变GeSnn沟道金属氧化物半导体场效应晶体管有效
| 申请号： | 201310752794.2 | 申请日： | 2013-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103730507A | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 韩根全;刘艳;刘明山 | 申请（专利权）人： | 重庆大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/161 |
| 代理公司： | 重庆华科专利事务所 50123 | 代理人： | 康海燕 |
| 地址： | 400030 *** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 双轴张 应变 gesnn 沟道 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 | ||
【权利要求书】：
1.一种带有双轴张应变的GeSnn沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，具有一GeSn沟道、一衬底、一源极、一漏极、一绝缘介电质薄膜和一栅电极；
所述源极或者漏极通过外延生长或者键合方式生长在衬底上，其材料为弛豫的单晶半导体材料GeSn，源极、GeSn沟道和漏极形成竖直器件结构；
所述绝缘介电质薄膜环绕生长在GeSn沟道上，所述栅电极覆盖在绝缘介电质薄膜上；
所述源极或漏极材料的晶格常数比GeSn沟道晶格常数大。
2.如权利要求1所述的带有双轴张应变的GeSnn沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，所述沟道GeSn材料的通式为Ge1-xSnx（0≤x≤0.25）。
3.如权利要求2所述的带有双轴张应变的GeSnn沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，其特征在于，所述源极和漏极材料为单晶GeSn，通式为Ge1-ySny（0≤y≤0.25，x<y）。
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