[发明专利]nLDMOS耗尽管器件的工艺方法在审
| 申请号： | 201310753006.1 | 申请日： | 2013-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN104752173A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 宁开明;金锋;王惠惠 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | nldmos 尽管 器件 工艺 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种nLDMOS耗尽管器件的工艺方法，其特征在于：包含如下步骤：
在器件的N阱和P阱形成以后，进行沟道区离子注入时，在器件的N阱和P阱形成以后，进行沟道区离子注入时，先进行P型杂质的注入，其注入角度为垂直注入；再进行沟道区阈值电压调节的N型杂质注入，其注入角度为斜角注入；最后进行热退火激活。
2.如权利要求1所述的nLDMOS耗尽管器件的工艺方法，其特征在于：所述的第一步中，注入的P型杂质为硼，注入能量为30～100KeV，注入剂量为3x1012～1x1013cm-2。
3.如权利要求1所述的nLDMOS耗尽管器件的工艺方法，其特征在于：所述第二步中，N型杂质的注入角度为15～45度。
4.如权利要求1所述的nLDMOS耗尽管器件的工艺方法，其特征在于：所述第二步中，注入的N型杂质为砷，注入能量为20～40KeV，注入剂量为2x1012～8x1012cm-2。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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