[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、显示器件

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括有源层、刻蚀阻挡层、源电极和漏电极，其特征在于：

所述有源层包括：被所述刻蚀阻挡层覆盖的覆盖部和未被所述刻蚀阻挡层覆盖的、位于所述源电极和漏电极区域的接触部，位于所述源电极区域和/或漏电极区域的接触部包括从所述刻蚀阻挡层的纵向方向上延伸出的侧翼部。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于：

所述有源层包括至少一个所述覆盖部，每一所述覆盖部均包括：位于所述源电极区域的第一子覆盖部、位于所述漏电极区域的第二子覆盖部以及不位于所述源电极区域和漏电极区域的第三子覆盖部。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于：

当位于所述源电极区域的接触部包括所述侧翼部时，与所述源电极接触的侧翼部位于所述第一子覆盖部的纵向方向上；

当位于所述漏电极区域的接触部包括所述侧翼部时，与所述漏电极接触的侧翼部位于所述第二子覆盖部的纵向方向上。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于：

所述有源层包括一个所述覆盖部；

当位于所述源电极区域的接触部包括所述侧翼部时，位于所述源电极区域的接触部包括两个与所述源电极接触的侧翼部，两个与所述源电极接触的侧翼部分别位于所述第一子覆盖部的两侧；

当位于所述漏电极区域的接触部包括所述侧翼部时，位于所述漏电极区域的接触部包括两个与所述漏电极接触的侧翼部，两个与所述漏电极接触的侧翼部分别位于所述第二子覆盖部的两侧。

5.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于：

所述有源层包括两个所述覆盖部；

当位于所述源电极区域的接触部包括所述侧翼部时，位于所述源电极区域的接触部包括一个与所述源电极接触的侧翼部，一个与所述源电极接触的侧翼部位于两个所述第一子覆盖部的中间；

当位于所述漏电极区域的接触部包括所述侧翼部时，位于所述漏电极区域的所述接触部包括一个与所述漏电极接触的侧翼部，一个与所述漏电极接触的侧翼部位于两个所述第二子覆盖部的中间。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于：

位于所述源电极区域的接触部还包括：位于所述刻蚀阻挡层横向方向上的延伸部。

7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于：

位于所述漏电极区域的接触部还包括：位于所述刻蚀阻挡层横向方向上的延伸部。

8.根据权利要求1至7任一项所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括栅电极和覆盖所述栅电极上的栅绝缘层，所述有源层形成在所述栅绝缘层上。

9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括钝化层，所述钝化层形成在所述源电极和所述漏电极上。

10.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层采用氧化物金属半导体材料制成。

11.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：

形成有源层和刻蚀阻挡层，所述有源层包括：被所述刻蚀阻挡层覆盖的覆盖部和未被所述刻蚀阻挡层覆盖的、位于所述源电极和漏电极区域的接触部，位于所述源电极区域和/或漏电极区域的接触部包括在所述刻蚀阻挡层的纵向方向上的侧翼部；

形成源电极和漏电极。

12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于：通过一次构图工艺形成有源层和刻蚀阻挡层，所述通过一次构图工艺形成有源层和刻蚀阻挡层具体包括：

形成氧化物半导体薄膜和刻蚀阻挡层薄膜；

在所述刻蚀阻挡层薄膜上涂覆光刻胶；

采用半色调掩膜板对所述光刻胶进行曝光、显影，形成光刻胶全保留区域，光刻胶半保留区域以及光刻胶去除区域，其中，所述光刻胶全保留区域对应刻蚀阻挡层图形区域，所述光刻胶半保留区域对应有源层除去刻蚀阻挡层图形的区域，所述光刻胶去除区域对应所述光刻胶全保留区域及所述光刻胶半保留区域之外的其他区域；

采用刻蚀工艺去除所述光刻胶去除区域的刻蚀阻挡层薄膜及金属氧化物半导体薄膜，形成有源层；

利用灰化工艺去除所述光刻胶半保留区域的光刻胶；

利用刻蚀工艺去除所述光刻胶半保留区域的刻蚀阻挡层薄膜，形成刻蚀阻挡层的图形；

剥离所述光刻胶完全保留区域的光刻胶，以形成所述刻蚀阻挡层和有源层。