[发明专利]硅片清洗方法在审
| 申请号： | 201310753710.7 | 申请日： | 2013-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103736689A | 公开（公告）日： | 2014-04-23 |
| 发明（设计）人： | 胡正军;姚嫦娲 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | B08B3/12 | 分类号： | B08B3/12;B08B3/10;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅片 清洗 方法 | ||
1.一种硅片清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S01，提供待清洗硅片，使用纯水对硅片进行预处理，以调整硅片表面温度；
步骤S02，使用清洗试剂，对硅片进行清洗。
2.根据权利要求1所述的硅片清洗方法，其特征在于：预处理硅片后硅片表面温度与步骤S02所使用清洗试剂温度的温差为0-5℃。
3.根据权利要求2所述的硅片清洗方法，其特征在于：预处理硅片后硅片表面温度与步骤S02所使用清洗试剂温度的温差为0-2℃。
4.根据权利要求2所述的硅片清洗方法，其特征在于：步骤S01中所使用纯水的温度与步骤S02所使用清洗试剂温度的温差为0-5℃。
5.根据权利要求3所述的硅片清洗方法，其特征在于：步骤S01中所使用纯水的温度与步骤S02所使用清洗试剂温度的温差为0-2℃。
6.根据权利要求1所述的硅片清洗方法，其特征在于：步骤S02所使用清洗试剂的温度大于或等于100℃，则该硅片预处理后的硅片表面温度为75-95℃。
7.根据权利要求1所述的硅片清洗方法，其特征在于：该清洗试剂是含有硫酸、盐酸、氨水、双氧水或有机溶剂中一种或多种的混合试剂。
8.根据权利要求7所述的硅片清洗方法，其特征在于：该清洗试剂是含有硫酸、双氧水、水的混合物，该硅片预处理后的硅片表面温度为75-95℃。
9.根据权利要求1至8任一项所述的硅片清洗方法，其特征在于：步骤S01中纯水的流量为5-20L/min，硅片的转速为100-1000rpm。
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