[发明专利]液晶显示面板的修复方法及修复系统在审
申请号: | 201310753941.8 | 申请日: | 2013-12-31 |
公开(公告)号: | CN103744201A | 公开(公告)日: | 2014-04-23 |
发明(设计)人: | 李冠政;李吉;陈雅惠 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/13 | 分类号: | G02F1/13;G02F1/1362 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶显示 面板 修复 方法 系统 | ||
技术领域
本发明涉及平面显示领域,尤其涉及一种液晶显示面板的修复方法及修复系统。
背景技术
薄膜晶体管(TFT)阵列是有源矩阵液晶显示器(TFT-LCD)的关键结构,因此TFT矩阵的好坏对TFT-LCD的品质至关重要。然而,形成TFT结构的阵列(Array)制程较为复杂繁琐,在反复的工艺中,往往会导致TFT的缺陷产生,如:沟道、源极、漏极、栅极等电极短路或断路缺陷,与引线有关的扫描线、信号线的短路或断路缺陷、储存电容电极和像素电极的缺陷。因此,针对这些缺陷,典型的Array制程中在栅极制程和源/漏极工程后均有激光化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)修补的步骤。随着TFT-LCD不断向着高分辨率和高精细化的方向发展,要保证生产的TFT毫无缺陷基本不可能实现,所以对TFT的修复,特别是对TFT的精细修复显得更加重要。
激光CVD是一种利用激光化学反应直接沉积微区薄膜的技术,它通过激光加热或激光直接作用气体分子,使气体分子裂解,然后在基板上沉积成膜。激光CVD具有以下优点:1、微区沉积,空间分辨率高且可控,非激光照射区域不受热影响;2、能实现定域内的迅速升温,达到吸附在基底表面的化学物质的分解温度,快速沉积;3、无污染,工艺简单;4、可与其他激光加工技术并用。基于这些特点,激光CVD在TFT阵列的断路或断面修复中有重要应用价值。目前,用于TFT布线的激光CVD修复方法是以六羰基铬(Cr(CO)6)或六羰基钨(W(CO)6)为反应气体,沉积铬(Cr)或钨(W)金属线路使电路重新导通。然而,此修复部分具有非均匀的电导率,在施加热载荷时将引起热应力,因此导致修复点的可靠性隐患;另外,所使用的原料Cr(CO)6和W(CO)6是有剧毒和对环境有害的物质。
石墨烯是一种新型的碳纳米材料,具有超强的导电、导热和机械性能。因此,若能用石墨烯代替Cr或W沉积在断路的缺陷出,由于石墨烯更优异的电荷和热量的传输能力,及优异的延展性,可以提高修复点的可靠性。目前,生长石墨烯的方法有机械剥离法、碳化硅(SiC)外延生产法、氧化还原法和化学气相沉积法,其中CVD法是使用最为普遍的一种方法,所生长的石墨烯缺陷少,品质好。另一方面,CVD法生长石墨烯所使用的原料是非常易得的碳氢化合物,比沉积W或Cr的原料更安全环保,成本也更低。CVD法制备石墨烯是使含碳的气体,如碳氢化合物,在高温下分解成碳原子沉积在基底的表面,形成石墨烯。产生高温的加热方式一般采用电阻丝加热,但是此方式升温和降温速率慢,而且使整个基底都处于高温之下,无法实现微区选择性沉积,若应用此方法修复TFT-LCD中的缺陷,还会对很多结构造成破坏。
发明内容
本发明的目的在于提供一种液晶显示面板的修复方法,通过激光化学气相沉积法,在断路处形成石墨烯,以修复断路,制程简单,修复效果好,且以甲烷等常见气体为碳源气体,利于环境保护。
本发明的另一目的在于提供液晶显示面板的修复系统,通过控制系统控制激光设备的开关,有效控制所形成的石墨烯的层数,进而控制石墨烯的导电率,提升修复效果。
为实现上述目的,本发明提供一种液晶显示面板的修复方法,包括以下步骤:
步骤1、提供液晶显示面板,该液晶显示面板上的电路有断路;
步骤2、通过激光化学气相沉积法在液晶显示面板上形成石墨烯,以连通该断路。
所述液晶显示面板包括基板、形成于基板上的数据线与扫描线、形成于数据线与扫描线上的绝缘层及形成绝缘层上的像素电极,所述断路位于数据线、扫描线或像素电极上。
所述石墨烯形成于数据线、扫描线或像素电极上的断路位置,以将数据线、扫描线或像素电极电性连接。
所述石墨烯形成于所述绝缘层上,并在绝缘层上形成接触孔,所述石墨烯通过接触孔与数据线或扫描线电性连接。
所述步骤2中,以甲烷与氢气、甲烷与氩气、或乙烷与氢气或氩气的混合气体为碳源气体;以激光为能量源进行激光化学气相沉积。
所述步骤2中,还以铜蒸汽为催化剂进行激光化学气相沉积。
还包括步骤3,将石墨烯暴露于掺杂分子的环境中,对石墨烯进行分子掺杂。
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