[发明专利]用于衬底处理腔室的气体供应系统及其方法在审

专利信息
申请号: 201310754016.7 申请日: 2013-12-31
公开(公告)号: CN103972010A 公开(公告)日: 2014-08-06
发明(设计)人: 伊克巴尔·谢里夫;马克·塔斯卡尔;埃万盖洛斯·斯皮罗普洛斯 申请(专利权)人: 朗姆研究公司
主分类号: H01J37/30 分类号: H01J37/30;H01J37/32;H01L21/3065;H01L21/205;C23C16/455;C23F1/08;C23F1/12
代理公司: 上海胜康律师事务所 31263 代理人: 李献忠
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 用于 衬底 处理 气体 供应 系统 及其 方法
【权利要求书】:

1.一种用于向衬底处理腔室提供成组的处理气体的气体供应子系统,所述成组的处理气体是能用于所述衬底处理腔室的多种处理气体的子集,该子系统包括:

多个处理气体导管,其提供多种处理气体;以及

多个质量流量控制器,每个质量流量控制器都具有与所述多个处理气体导管中的选择性的导管实现气体连通的输入,所述多个质量流量控制器具有比所述多种处理气体中的处理气体的总数量少的质量流量控制器,

其中所述多个处理气体中的至少第一处理气体通过所述多个质量流量控制器中的至少两个质量流量控制器而处于选择性气体流量控制之下,并且其中所述至少两个质量流量控制器中的至少第一质量流量控制器还提供了对所述多种处理气体中的第二处理气体的选择性的气体流量控制。

2.如权利要求1所述的气体供应子系统,其中所述至少两个质量流量控制器中的第二质量流量控制器也提供对所述多个处理气体中的所述第二处理气体的选择性气体流量控制。

3.如权利要求1所述的气体供应子系统,其中所述至少两个质量流量控制器中的第二质量流量控制器也提供对所述多个处理气体的第三处理气体的选择性气体流量控制。

4.如权利要求1所述的气体供应子系统,其进一步包括:

第一上游阀,其与所述第一质量流量控制器的入口耦合,所述第一上游阀选择性地将所述入口耦合到真空或者耦合到提供所述第一处理气体和所述第二处理气体中的至少一种的导管上。

5.如权利要求1所述的气体供应子系统,其中所述第一处理气体代表蚀刻源气体。

6.如权利要求6所述的气体供应子系统,其中所述衬底处理腔室代表等离子体处理腔室。

7.如权利要求1所述的气体供应子系统,其中所述第一处理气体代表沉积源气体。

8.一种向衬底处理腔室提供成组的处理气体的方法,所述成组的处理气体是能用于所述衬底处理腔室的多种处理气体的子集,该方法包括:

向质量流量控制器提供所述多种处理气体中的第一处理气体,由此所述质量流量控制器控制到所述衬底处理腔室的所述第一处理气体的流量;

随后打开通向真空的上游阀以从所述质量流量控制器中冲洗所述第一气体的至少一部分,其中所述上游阀与所述质量流量控制器的入口是气体连通的;以及

随后向所述质量流量控制器提供所述多种处理气体中的第二处理气体,由此所述质量流量控制器控制到所述衬底处理腔室的所述第二处理气体的流量。

9.如权利要求8所述的方法,其进一步包括:

在向所述质量流量控制器提供所述第二处理气体的持续时间的至少一部分期间,保持所述上游阀打开通向所述真空。

10.如权利要求9所述的方法,其进一步包括:

在所述打开通向所述真空的所述上游阀之后但是在提供所述第二气体之前,利用第三气体来清洗所述质量流量控制器。

11.如权利要求8所述的方法,其中所述第一处理气体代表蚀刻源气体。

12.如权利要求11所述的方法,其中所述衬底处理腔室代表等离子体处理腔室。

13.如权利要求8所述的方法,其中所述第一处理气体代表沉积源气体。

14.一种用于向衬底处理腔室提供成组的处理气体的气体供应子系统,所述成组的处理气体是能用于所述衬底处理腔室的多种处理气体的子集,该系统包括:

多个质量流量控制器,其具有比所述多种处理气体中的处理气体的总数量少的质量流量控制器;以及

多个气体输入复用器,所述多个气体输入复用器中的每一个分别与所述多个质量流量控制器中的一个耦合,所述多个气体输入复用器中的每一个接收所述多种处理气体中的能用的多个处理气体并提供所述多个处理气体中的一个至所述多个质量流量控制器中的相应的一个,

其中所述多种处理气体中的至少第一处理气体通过所述多个质量流量控制器中的至少两个质量流量控制器而处于选择性气体流量控制之下,并且其中所述至少两个质量流量控制器中的至少第一质量流量控制器还提供了对所述多种处理气体中的第二处理气体的选择性气体流量控制。

15.如权利要求14所述的气体供应子系统,其中所述至少两个质量流量控制器中的第二质量流量控制器也对所述多种处理气体中的所述第二处理气体提供选择性气体流量控制。

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