[发明专利]一种改善PCB金属包边局部开窗的方法有效
| 申请号： | 201310754257.1 | 申请日： | 2013-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103648236A | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | 李长生;严来良;文泽生;安国义 | 申请（专利权）人： | 深圳市深联电路有限公司 |
| 主分类号： | H05K3/00 | 分类号： | H05K3/00 |
| 代理公司： | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人： | 张晓霞 |
| 地址： | 518104 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 pcb 金属 局部 开窗 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种改善PCB金属包边局部开窗的方法，其特征在于，包括：
S101、对高频PCB进行全板电镀，使板边、槽边、孔边铜厚控制为3μm ~10μm；
S102、对上述高频PCB进行外层图形制作，且使需要金属包边开窗对应板面位置的干膜比板边、槽边、孔边长0.05mm~0.10mm；
S103、对上述高频PCB进行图形电镀，使板边、槽边、孔边的铜厚控制在20μm ~30μm；
S104、进行外层蚀刻；
S105、对上述高频PCB进行第二次外层图形制作，且使需要金属包边开窗对应的板面位置比板边、槽边、孔边短0.05mm~0.15mm；
S106、对上述高频PCB进行第二次外层蚀刻，使开窗尺寸达到0~0.5mm，精度为+/-0.05mm，蚀刻后退膜和退锡。
2.根据权利要求1所述的改善PCB金属包边局部开窗的方法，其特征在于，步骤S101之前还包括：对覆铜板进行开料，然后进行内层图形制作、AOI检测、压合、钻孔、等离子处理和沉铜。
3.根据权利要求1所述的改善PCB金属包边局部开窗的方法，其特征在于，步骤S106之后还包括：对高频PCB进行AOI检测、阻焊、文字、表面处理、成型及电测。
4.根据权利要求1所述的改善PCB金属包边局部开窗的方法，其特征在于，步骤S104中，外层蚀刻，蚀刻依线宽公差+/-10%控制，不退锡。
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