[发明专利]LED光引擎的电子控制装置及其应用有效
申请号: | 201310755075.6 | 申请日: | 2013-12-30 |
公开(公告)号: | CN103974502A | 公开(公告)日: | 2014-08-06 |
发明(设计)人: | 余金生;王志良;陈光辉 | 申请(专利权)人: | 群高科技股份有限公司 |
主分类号: | H05B37/02 | 分类号: | H05B37/02 |
代理公司: | 北京泛诚知识产权代理有限公司 11298 | 代理人: | 陈波;吴立 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | led 引擎 电子 控制 装置 及其 应用 | ||
1.一种LED光引擎的电子控制装置,包括:
整流器,该整流器用于连接外部交流电压源;
电流调节器,该电流调节器连接所述整流器;以及
开关调节器链,该开关调节器链是由多个开关调节器串联而成,连接所述电流调节器,并与外部发光二极管阵列链并联设置,该外部发光二极管阵列链是由多个发光二极管阵列串联而成,除最后一级发光二极管阵列外,每一所述开关调节器与所述发光二极管阵列并联连接,任一所述开关调节器都包括旁通开关以及侦测器,任一该侦测器侦测下一级所述发光二极管阵列以切换该级旁通开关的状态,并且任一该级旁通开关为常闭开关,即当未受电压或受零电压时,旁通开关导通;其中,
当输入电压未能克服下级所述发光二极管阵列的正向电压降时,该级旁通开关导通,称为导通态;
当输入电压克服下级所述发光二极管阵列的正向电压降,但未能克服当级所述发光二极管阵列的正向电压降时,该级旁通开关快速切换导通与截止,称为调节态;
当输入电压能克服当级所述发光二极管阵列的正向电压降时,该级旁通开关截止,称为截止态。
2.如权利要求1所述的LED光引擎的电子控制装置,其中任一所述旁通开关是N通道空乏型金属氧化物半导体场效应晶体管,或N通道空乏型接面场效应晶体管。
3.如权利要求1所述的LED光引擎的电子控制装置,其中任一所述侦测器是电流侦测器、电压侦测器、光感应侦测器或磁感应侦测器。
4.如权利要求1所述的LED光引擎的电子控制装置,其中所述侦测器是电压侦测器,该电压侦测器包括分压电路,跨接于下一级所述发光二极管阵列的一个或多个发光二极管,该分压电路的分压提供该级旁通开关的控制信号。
5.如权利要求1所述的LED光引擎的电子控制装置,其中所述侦测器是电流侦测器,该电流侦测器包括分压电路、npn双极接合晶体管以及侦测电阻,该侦测电阻串接在下级所述发光二极管阵列后,该npn双极接合晶体管的基极与射极跨接在所述侦测电阻的两端,该分压电路设置在下级所述发光二极管阵列之前与该npn双极接合晶体管的集极间,该分压电路的分压提供该级旁通开关的控制信号。
6.如权利要求1所述的LED光引擎的电子控制装置,其中所述侦测器是电流侦测器,该电流侦测器包括分压电路、并联调节器以及侦测电阻,该侦测电阻串接在下级所述发光二极管阵列后,该并联调节器的阳极与参考极跨接在该侦测电阻的两端,该分压电路设置在下级所述发光二极管阵列之前与该并联调节器的阴极间,该分压电路的分压提供该级旁通开关的控制信号。
7.如权利要求1所述的LED光引擎的电子控制装置,其中所述侦测器是比较器。
8.如权利要求1所述的LED光引擎的电子控制装置,其中所述电流调节器包括金属氧化物半导体场效应晶体管以及npn双极接合晶体管,该npn双极接合晶体管用于控制该金属氧化物半导体场效应晶体管的导通与截止。
9.如权利要求1所述的LED光引擎的电子控制装置,其中所述电流调节器包括金属氧化物半导体场效应晶体管以及并联调节器,该并联调节器用以控制该金属氧化物半导体场效应晶体管的导通与截止。
10.如权利要求1所述的LED光引擎的电子控制装置,还包括填谷电路,该填谷电路设置于该整流器后,该填谷电路在空载时间内,提供足以克服最后一级所述发光二极管阵列的正向电压降的电压。
11.如权利要求10所述的LED光引擎的电子控制装置,其中所述填谷电路包括:
第一储能回路,该第一储能回路包括第一储能电容与第一二极管的串行电路;
第二储能回路,该第二储能回路包括第二二极管与第二储能电容的串行电路;
可规划定电流源电路,该可规划定电流源电路包括金属氧化物半导体场效应晶体管、第三二极管与第一电阻的串行电路,以及npn双极晶体管与第二电阻的串行电路;其中该可规划定电流源电路连接于该第一储能电容与该第二储能电容之间。
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