[发明专利]一种解理装置在审
申请号: | 201310755922.9 | 申请日: | 2013-12-23 |
公开(公告)号: | CN103730415A | 公开(公告)日: | 2014-04-16 |
发明(设计)人: | 任知良;王明刚;王雪梅 | 申请(专利权)人: | 青岛润鑫伟业科贸有限公司 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 266000 山东省青*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 解理 装置 | ||
技术领域
本发明涉及一种解理装置,尤其是涉及一种GaAs、InP等半导体材料的解理装置。
背景技术
随着科技的发展和进步,半导体材料愈来愈多地应用在光电器件中,例如GaAs、InP等材料,在使用这些材料制造光电器件的工艺中,需要将GaAs、InP等材料进行解理,目前现有的GaAs、InP等材料的解理工艺,一般采用金刚刀切缺口后用滚轮滚动施加压力来完成裂开。但是这种解理的方式对于一些表面结构不耐压的器件来说,会有较大程度的机械损伤,同时滚轮直接接触芯片表面,裂片产生的碎屑易粘附在滚轮上,为此会带来一定程度的碎屑等沾污样品表面的可能,而为了更好地进行器件的解理需要一种特定的解理装置。因此,寻找一种能够避免以上缺陷的解理装置成为目前最为迫切的需要。
发明内容
本发明提供一种解理装置,采用气动的吸力迫使芯片沿晶向自然解理,为实现吸力,将常规解理机台的样品支承件换成具有气动的装置,样品支承件设计成一长条块,内部挖空成一封闭腔室,腔室侧面打孔连出真空管,上表面由两个面组成,左表面与下表面平行,右表面与下表面夹角小于8°,在上表面上打孔,用于吸附样品,左上表面靠近右上表面共用边的区域预留出一定宽度区域不打孔,用于划片时有一定平整度的样品台。在解理样品时,先用划片命令在样品解理槽前端切出一定长度的缺口,再启用真空装置用吸力吸住样品解理槽左右两边的区域,即施加一定强度的吸力给样品,使得样品在两个吸力和一个支撑力的作用下沿缺口处裂开,形成自然解理的端面,由于样品材质、厚度均有差异,所需吸力有差异,因此此装置真空大小设计成可调节,可以采用真空发生器连接压缩空气来实现,即调节压缩空气的气压大小来实现真空大小的调节。
具体实施方式
下面结合具体实施例,进一步阐述本发明。应理解,这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。此外应理解,在阅读了本发明讲授的内容之后,本领域技术人员可以对本发明作各种改动或修改,这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。
具体实施方式
本发明的解理方法及解理装置,应用于GaAs、InP等脆性材料的解理工艺,可以实现样品表面无接触裂片的目的。本发明适用于脆性材料的解理,为使本发明更浅显易懂,以下将以应用本发明技术的较佳实施例予以详细说明。
本发明涉及的解理装置是一种气动装置,此装置通过新型的支承件来实现。支承件设计成一长条块,内部挖空成一封闭腔室,腔室侧面打孔连出真空管,上表面由两个面组成,左表面与下表面平行,右表面与下表面夹角小于8°,在上表面上打孔,用于吸附样品。左上表面靠近右上表面共用边的区域预留出一定宽度区域不打孔。
通过使用以上解理装置制得光电器件,其光电性能得到了明显提高、成品率也获得了大幅度的提升、使用寿命延长,起到了良好的效果。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造