[发明专利]一种用于办公室的空气负氧离子发生器在审
申请号: | 201310756283.8 | 申请日: | 2013-12-30 |
公开(公告)号: | CN104752960A | 公开(公告)日: | 2015-07-01 |
发明(设计)人: | 静丽珍 | 申请(专利权)人: | 天津华辰晟宏科技有限公司 |
主分类号: | H01T23/00 | 分类号: | H01T23/00 |
代理公司: | 无 | 代理人: | 无 |
地址: | 300000 天津市滨海新区旅*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 办公室 空气 离子 发生器 | ||
技术领域
本发明涉及一种办公室的空气净化装置,尤其涉及一种用于办公室的空气负氧离子发生器。
背景技术
空气负氧离子发生器是利用高压电晕增加空气中负离子成份,从而改善空气质量,可以促进身体健康,被誉为“空气维生素”,医学临床实践证明,它对呼吸系统、循环系统以及神经方面等疾病均有辅助疗效,负离子增加,对人有催眠、止汗、镇痛、增进食欲,消除疲劳的作用,因而在办公室得到广泛应用。现有的空气负氧离子发生器,结构复杂,灵敏度低,且不便于调节。
发明内容
本发明的目的就在于为了解决上述问题而提供一种用于办公室的空气负氧离子发生器。
本发明通过以下技术方案来实现上述目的:
一种用于办公室的空气负氧离子发生器,包括交流电源、第一二极管至第四二极管、电位器、第一电容至第四电容、开关、变压器、三极管、第一电阻、第二电阻和放电板,所述交流电源的第一端分别与所述第一电容的第一端和所述第二电容的第一端连接,所述交流电源的第二端与所述开关的第一端连接,所述开关的第二端分别与所述第二二极管的正极和所述第一二极管的负极连接,所述第二二极管的负极分别与所述第二电容的第二端和所述第一电阻的第一端连接,所述第一电阻的第二端分别与所述第三电容的第一端和所述三极管的集电极连接,所述第三电容的第二端分别与所述第三二极管的正极和所述变压器的初级线圈的第一端连接,所述变压器的初级线圈的第二端分别与所述第三二极管的负极、所述三极管的发射极、所述电位器的第一端、所述电位器的滑动端、所述第一电容的第二端和所述第一二极管的正极连接,所述电位器的第二端与所述三极管的基极连接,所述变压器的次级线圈的第一端与所述第二电阻的第一端连接,所述第二电阻的第二端与所述第四电容的第一端连接,所述第四电容的第二端分别与所述第四二极管的正极和所述放电板连接,所述第四二极管的负极与所述变压器的次级线圈的第二端连接。
本发明的有益效果在于:
本发明为一种用于办公室的空气负氧离子发生器,利用电容的充电放电过程使三极管反复导通和截止,从而形成振荡脉冲使放电板产生大量负离子,具有结构简单,灵敏度高,且便于调节的优点。
附图说明
图1是本发明一种用于办公室的空气负氧离子发生器的电路图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步说明:
如图1所示,本发明一种用于办公室的空气负氧离子发生器,包括交流电源AC、第一二极管D1至第四二极管D4、电位器RP、第一电容C1至第四电容C4、开关S、变压器T、三极管VT、第一电阻R1、第二电阻R2和放电板F,交流电源AC的第一端分别与第一电容C1的第一端和第二电容C2的第一端连接,交流电源AC的第二端与开关S的第一端连接,开关S的第二端分别与第二二极管D2的正极和第一二极管D1的负极连接,第二二极管D2的负极分别与第二电容C2的第二端和第一电阻R1的第一端连接,第一电阻R1的第二端分别与第三电容C3的第一端和三极管VT的集电极连接,第三电容C3的第二端分别与第三二极管D3的正极和变压器T的初级线圈的第一端连接,变压器T的初级线圈的第二端分别与第三二极管D3的负极、三极管VT的发射极、电位器RP的第一端、电位器RP的滑动端、第一电容C1的第二端和第一二极管D1的正极连接,电位器RP的第二端与三极管VT的基极连接,变压器T的次级线圈的第一端与第二电阻R2的第一端连接,第二电阻R2的第二端与第四电容C4的第一端连接,第四电容C4的第二端分别与第四二极管D4的正极和放电板F连接,第四二极管D4的负极与变压器T的次级线圈的第二端连接。
交流电源AC经第二二极管D2整流后变成直流电压向第三电容C3充电,此时三极管VT的集电极与发射极间电压随时间的变化以指数规律上升,当电压上升到一定值时,三极管VT被导通,第三电容C3通过三极管VT对变压器T迅速放电,当第三电容C3上电压降到三极管VT导通电压以下时,三极管VT截止,直流电压重新对第三电容C3充电,重复上述过程,形成振荡脉冲,在变压器T的次级线圈上产生脉冲电压,经第四二极管D4和第四电容C4整流滤波后产生负高压,使放电板F产生大量负离子,电位器RP用于调节负离子的多少。
本发明的技术方案不限于上述具体实施例的限制,凡是根据本发明的技术方案做出的技术变形,均落入本发明的保护范围之内。
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