[发明专利]包含介孔中空硅颗粒的阳极以及制备介孔中空硅颗粒的方法

权利要求书

1.一种介孔、中空硅颗粒的制备方法，包括：

提供具有二氧化硅固体核和二氧化硅介孔壳的二氧化硅球，其中固体核保持致密和非多孔；

使用镁蒸气将所述二氧化硅介孔壳转化为硅介孔壳；以及

去除所述二氧化硅固体核、任何残留的二氧化硅以及任何含镁副产物以形成所述介孔、中空硅颗粒。

2.权利要求1的方法，其中所述提供步骤包括用四乙氧基硅烷/致孔剂混合物和非多孔二氧化硅球形成所述二氧化硅球。

3.权利要求1的方法，其中所述转化步骤是采用基于扩散公式t=x²/q_iD的尺寸依赖反应实现的，其中：

t等于扩散时间；

x是平均扩散距离；

q_i是数值常量，其对于一维扩散来说为2、对于二维扩散来说为4或对于三维扩散来说为6；以及

D是镁原子的扩散系数。

4.权利要求1的方法，其中在620℃至680℃的温度实现所述转化步骤。

5.权利要求4的方法，其中在惰性环境下实现所述转化步骤。

6.权利要求5的方法，其中所述惰性环境是氩气。

7.权利要求1的方法，其中所述去除步骤是通过如下步骤实现的：

清洗其上具有硅介孔壳的二氧化硅固体核；和

将其上具有硅介孔壳的所述二氧化硅固体核暴露于酸蚀刻。

8.权利要求7的方法，其中：

所述清洗是用5wt%的醋酸溶液实现的；和

所述酸蚀刻是用1wt%的氢氟酸溶液实现的。