[发明专利]定向耦合器,尤其是具有高耦合衰减的定向耦合器

权利要求书

1.一种定向耦合器(10a至10h)，包含：

第一导电轨(20a至20h)，

第二导电轨(22a至22h)，以及

用于耦合第一导电轨与第二导电轨的导电结构(24a至24h)，该导电结构包含第一部分区域(28a至28c)和第二部分区域(30a至30c)，与所述第一导电轨(20a至20h)靠近所述第二导电轨(22a至22h)布置相比，所述第一部分区域更靠近所述第一导电轨(20a至20h)地布置；与所述第一导电轨(20a至20h)靠近所述第二导电轨(22a至22h)布置相比，所述第二部分区域更靠近所述第二导电轨(22a至22h)地布置，并且该导电结构包含连接第一部分区域与第二部分区域的弯曲区域，

其中，第一导电轨(20a至20h)、第二导电轨(22a至22h)和导电结构(24a至24h)布置在不同的导电轨层中，

其中，所述导电结构(24f2，24g2，24h2)在第一部分区域(28a至28c)中与所述第一导电轨(20f，20g，20h)交叠和/或在第二部分区域(30a至30c)中与所述第二导电轨(22f1，22g，22h)交叠，

其中，第一导电轨(20d)至少在定向耦合器的区域中是笔直的并且具有第一宽度(B1)，

并且其中，导电结构(22d1至22d3)在第一部分区域(28a至28c)中是笔直的并且具有第二宽度(B2)，

并且其中对于在第一部分区域(28a至28c)的中线(210至214)与第一导电轨(20d)的中线(200)之间的第一间距(A1至A3)适用：所述第一间距(A1至A3)至少为所述第一宽度(B1)的一半与所述第二宽度(B2)的一半之差并且最大为所述第一宽度(B1)的一半与所述第二宽度(B2)的一半之和的80％，

和/或，

其中第二导电轨至少在定向耦合器的区域中是笔直的并且具有第三宽度，

并且其中导电结构在第二部分区域中是笔直的并且具有第四宽度，

并且其中对于在第二部分区域的中线与第二导电轨的中线之间的第二间距适用：所述第二间距至少为所述第三宽度的一半与所述第四宽度的一半之差并且最大为所述第三宽度的一半与所述第四宽度的一半之和的80％。

2.根据权利要求1所述的定向耦合器(10f)，其中，第一导电轨(20f)、第二导电轨(22f1)和导电结构(24f1，24f2)布置在两个导电轨层(252f，254f)中。

3.根据权利要求1所述的定向耦合器(10f)，其中，所述导电结构(24f1，24f2)布置在与所述第一导电轨(20f)和所述第二导电轨(22f1)不同的导电轨层(254f)中。

4.根据权利要求2所述的定向耦合器(10f)，其中，所述第一导电轨(20f)布置在与所述第二导电轨(22f2)和所述导电结构(24f1)不同的导电轨层(252f)中。

5.根据权利要求2所述的定向耦合器(10g，10h)，其中，第一导电轨(20g，20h)、第二导电轨(22g，22h)和导电结构(24g1，24g2，24h1，24h2)布置在三个导电轨层(252g，254g，256g，252h，254h，256h)中。

6.根据上述权利要求1-5中任一项所述的定向耦合器(10a至10h)，其中，所述导电结构(24a至24h)具有环绕的边或具有如下长度的中线，该长度小于电磁波的波长的20％，针对该电磁波的传输来设计所述第一导电轨(20a至20h)。

7.根据权利要求6所述的定向耦合器(10a至10h)，其中，所述定向耦合器的输入端与输出具有设计波长的电磁波的单元耦合。

8.根据上述权利要求1-5中任一项所述的定向耦合器(10b)，其中，所述导电结构(24b)是第一导电结构(24b)，

其中所述定向耦合器(10b)包含第二导电结构(26b)，

并且其中所述第二导电结构(26b)包含第一部分区域(32b)，该第一部分区域与第二导电结构(26b)的第二部分区域(34b)相比更为靠近第一导电结构(24b)地布置，

并且其中所述第二部分区域(34b)与第一导电结构(24b)相比更为靠近第二导电轨(22b)地布置。