[发明专利]用于制造电子元件的方法有效

专利信息
申请号: 201310757117.X 申请日: 2013-11-19
公开(公告)号: CN103839842A 公开(公告)日: 2014-06-04
发明(设计)人: E·菲尔古特;K·侯赛因;J·马勒;G·迈尔-贝格 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: H01L21/58 分类号: H01L21/58;H01L21/768;H01L23/538
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 马丽娜;马永利
地址: 德国瑙伊比*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 用于 制造 电子元件 方法
【权利要求书】:

1.一种用于制作电子元件的方法,该方法包括:

提供载体;

提供半导体芯片;

施加连接层到该半导体芯片的第一主面,该连接层包括多个凹陷部;

施加填充材料到该连接层或到该载体;

将该半导体芯片附着到该载体,使得该连接层位于该半导体芯片和该载体之间;以及

施加热和压力中的一个或多个以将该半导体芯片固定到该载体。

2.根据权利要求1所述的方法,其中施加该连接层包括施加一层到该半导体芯片的第一主面并去除该层的预定部分。

3.根据权利要求2所述的方法,其中去除预定部分包括通过激光结构化或蚀刻来去除所述预定部分。

4.根据权利要求1所述的方法,其中凹陷部彼此具有相同外形、相同尺寸和相同距离中的一种或多种。

5.根据权利要求1所述的方法,其中该填充材料包括可热收缩的材料。

6.根据权利要求1所述的方法,其中该填充材料包括导电材料。

7.根据权利要求1所述的方法,其中该填充材料包括绝缘材料。

8.根据权利要求1所述的方法,其中该填充材料包括粘合剂材料。

9.根据权利要求1所述的方法,其中该填充材料包括填充有导电颗粒的主材料。

10.根据权利要求1所述的方法,其中:

提供该半导体芯片包括提供半导体晶片;

该半导体晶片包括多个芯片区域;

该连接层被施加到该半导体晶片的第一主面;

该填充材料被填充到凹陷部中;以及

该方法还包括将晶片分离成单独的半导体芯片。

11.一种用于制作电子元件的方法,该方法包括:

提供载体;

提供包括多个芯片区域的半导体晶片;

施加连接层到该半导体晶片的第一主面,该连接层包括多个凹陷部;

用填充材料填充凹陷部;

将该晶片分离成单独的半导体芯片;以及

将具有主面的半导体芯片中的一个附着到该载体。

12.根据权利要求11所述的方法,还包括施加热、压力和超声中的一种或多种以将该半导体芯片固定到该载体。

13.一种电子元件,包括:

载体;

具有第一主面的半导体芯片;

施加到该半导体芯片的第一主面的连接层,该连接层包括多个凹陷部;

该连接层设置在该半导体芯片和该载体之间;以及

设置在该载体和该连接层之间的填充材料。

14.根据权利要求13所述的电子元件,其中凹陷部彼此具有相同外形、相同尺寸和相同距离中的一种或多种。

15.根据权利要求13所述的电子元件,其中该填充材料由可热收缩的材料构成。

16.根据权利要求13所述的电子元件,其中该填充材料包括导电材料。

17.根据权利要求13所述的电子元件,其中该填充材料包括绝缘材料。

18.根据权利要求13所述的电子元件,其中该填充材料包括粘合剂材料。

19.根据权利要求13所述的电子元件,其中该填充材料包括填充有导电颗粒的主材料。

20.根据权利要求13所述的电子元件,其中该半导体芯片包括具有在该第一主面处的第一电接触元件和在与该第一主面相对的第二主面处的第二电接触元件的电器件。

21.根据权利要求20所述的电子元件,其中该电器件包括垂直晶体管、MOS晶体管、IGB晶体管或功率晶体管。

22.根据权利要求20所述的电子元件,还包括设置在该第一电接触元件上的导电层,其中凹陷部形成在该导电层中。

23.根据权利要求13所述的电子元件,其中该半导体芯片还包括与该第一主面相对的第二主面,该电子元件还包括施加到该半导体芯片的第二主面的另一连接层,该另一连接层包括多个凹陷部。

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