[发明专利]有机发光二极管显示装置及其制造方法

权利要求书

1.一种有机发光二级管显示装置，所述有机发光二级管显示装置包括：

扫描线、数据线和电源线，所述扫描线、数据线和电源线彼此交叉并且被布置为限定像素区域；

开关薄膜晶体管，所述开关薄膜晶体管被布置在所述扫描线和所述数据线的交叉处；

有机发光二极管，所述有机发光二极管被布置在所述像素区域中；

驱动薄膜晶体管，所述驱动薄膜晶体管被布置在所述电源线和所述有机发光二极管之间；以及

存储电容器，所述存储电容器被布置为临近所述有机发光二极管并被配置为充入由所述数据线施加的数据信号，

其中，所述存储电容器包括多个子存储电容器，在所述多个子存储电容器中多个存储电极被彼此交替地堆叠。

2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，所述有机发光二极管显示装置还包括感测薄膜晶体管，所述感测薄膜晶体管连接在所述驱动薄膜晶体管和所述有机发光二极管之间，所述感测薄膜晶体管被配置为控制所述驱动薄膜晶体管的接地状态。

3.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述开关薄膜晶体管和所述驱动薄膜晶体管各自包括由氧化物半导体层形成的沟道层。

4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中：

所述存储电容器包括第一存储电极、第二存储电极、第三存储电极、第四存储电极和第五存储电极；并且

所述子存储电容器包括形成在所述第一存储电极到所述第五存储电极之间的第一子存储电容器、第二子存储电容器、第三子存储电容器和第四子存储电容器。

5.根据权利要求4所述的有机发光二极管显示装置，其中

所述第一存储电极、所述第三存储电极和所述第五存储电极彼此电连接；

所述第二存储电极和所述第四存储电极彼此电连接；并且

所述第一子存储电容器到所述第四子存储电容器彼此并联连接。

6.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其中，所述开关薄膜晶体管和所述驱动薄膜晶体管形成为双栅极结构，所述双栅极结构包括第一栅极和第二栅极，在所述第一栅极和所述第二栅极之间具有沟道层。

7.一种制造有机发光二极管显示装置的方法，该方法包括：

制备基板，在所述基板中限定了有机发光二极管区域和存储电容器区域；

在所述基板上形成第一栅极和第一存储电极；

在设置有所述第一栅极的所述基板上顺序地形成第一栅极绝缘膜和氧化物半导体层；

在所述第一栅极绝缘膜上形成与所述第一栅极相对的沟道层，并且在所述第一栅极绝缘膜上形成与所述第一存储电极相对的第二存储电极；

在设置有所述沟道层的所述基板上顺序地形成第二栅极绝缘膜和金属膜；

在所述第二栅极绝缘膜上形成与所述沟道层相对的第二栅极，并且在所述存储电容器区域中在所述第二栅极绝缘膜上形成与所述第二存储电极相对的第三存储电极；

在设置有所述第二栅极的所述基板上形成层间绝缘膜；

针对所述层间绝缘膜执行接触孔形成处理；

形成与所述沟道层电连接的源极和漏极，并且在所述层间绝缘膜上形成与所述第三存储电极相对的第四存储电极；

在设置有所述源极和漏极的所述基板上形成钝化膜；以及

在所述钝化膜上形成与所述第四存储电极相对的第五存储电极。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述沟道层由所述氧化物半导体层形成。

9.根据权利要求7所述的方法，其中，形成所述第二栅极和所述第三存储电极的步骤包括：

湿法刻蚀处理，所述湿法刻蚀处理用于刻蚀所述金属膜以形成所述第二栅极和所述第三存储电极；以及

干法刻蚀处理，所述干法刻蚀处理用于对所述第二栅极和所述第三存储电极之下的所述第二栅极绝缘膜进行构图。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述干法刻蚀处理用于部分地移除所述第二栅极绝缘膜并能够使得在所述第二栅极之下的沟道层的一部分通过等离子气体变成导电的半导体图案。

11.根据权利要求7所述的方法，其中，所述存储电容器区域包括所述第一存储电极到所述第五存储电极，并具有与形成在所述第一存储电极到所述第五存储电极之间的第一子存储电容器、第二子存储电容器、第三子存储电容器和第四子存储电容器的电容值之和相对应的电容值。