[发明专利]光刻胶图案修剪方法

权利要求书

1.一种修剪光刻胶图案的方法，所述方法包括：

(a)提供半导体衬底；

(b)在衬底上形成光刻胶图案，其中由化学放大光刻胶组合物形成光刻胶图案，所述化学放大光刻胶组合物包括：包含酸不稳定性基团的母体聚合物；光生酸剂；和溶剂；

(c)将光刻胶修剪组合物涂覆到衬底上的光刻胶图案之上，其中，该修剪组合物包括：母体聚合物，不含氟的芳香酸；以及有机溶剂；其中以光刻胶修剪组合物的总固体量为基础，光刻胶修剪组合物中所存在的芳香酸的量为0.01到20wt％；

所述修剪组合物中的母体聚合物选自聚乙烯醇、聚丙烯酸、聚乙烯吡硌烷酮、聚乙烯胺、聚乙烯醇缩乙醛、聚(甲基)丙烯酸酯及其组合物；并且

所述芳香酸包括通式(I)的酸：

其中：R¹单独表示取代或未取代的C1-C20烷基，可选择地包含一个或多个选自羰基、羰氧基、磺酰胺基、醚、硫醚、取代或未取代的亚烷基基团、或者它们的组合的基团；Z¹单独表示选自羧基、羟基、硝基、氰基、C1到C5烷氧基、甲酰和磺酸的基团；a和b是独立的从0到5的整数；a+b为5或者更小

(d)加热涂覆后的衬底，从而改变光刻胶图案表面区域中的光刻胶母体聚合物的极性；

(e)使光刻胶图案接触清洗剂，除去光刻胶图案的表面区域，从而形成经修剪的光刻胶图案。

2.如权利要求1的方法，其中，所述芳香酸是对甲苯磺酸。

3.如权利要求1的方法，其中，所述芳香酸是2,4-二硝基苯磺酸。

4.如权利要求1到3中任何一个的方法，其中，清洗剂包括水或水性碱性溶液。

5.如权利要求1到3中任何一个的方法，其中，清洗剂包括有机溶剂或溶剂混合物。

6.如权利要求1到3中任何一个的方法，其中，以光刻胶修剪组合物的总固体为基准，光刻胶修剪组合物中存在的母体聚合物的量为80到99wt％。

7.如权利要求1到3中任何一个的方法，其中，以光刻胶修剪组合物为基础，光刻胶修剪组合物的有机溶剂的量为90到99wt％。