[发明专利]离子注入方法有效
| 申请号： | 201310757503.9 | 申请日： | 2013-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN103943472A | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 徐承柏;吴承翰;郑东垣;山本芳裕 | 申请（专利权）人： | 罗门哈斯电子材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/266 | 分类号： | H01L21/266;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 江磊 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 离子 注入 方法 | ||
1.在半导体器件中形成离子注入区域的方法，包括：
(a)提供具有多个待进行离子注入的区域的半导体基材；
(b)在半导体基材上形成光刻胶图案，其中，所述光刻胶图案由化学放大型光刻胶组合物形成，所述光刻胶组合物包含具有酸不稳定性基团的基质聚合物、光生酸剂和溶剂；
(c)在光刻胶图案上涂覆清除浮渣组合物，其中，所述清除浮渣组合物包含：基质聚合物；游离酸；以及溶剂；
(d)对所述涂覆的半导体基材进行加热；
(e)使所述涂覆的半导体基材接触漂洗剂，以从基材去除残留的清除浮渣组合物和浮渣；以及
(f)使用光刻胶图案作为注入掩模，对所述半导体基材的多个区域进行离子注入。
2.如权利要求1所述的方法，其中，所述游离酸为芳族酸。
3.如权利要求1所述的方法，其中，所述游离酸是非芳族酸。
4.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，所述清除浮渣组合物的溶剂包括有机溶剂。
5.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，所述清除浮渣组合物是一种水性溶液。
6.如权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，所述漂洗剂包括水或碱性水溶液。
7.如权利要求1至5中任一项所述的方法，其中，所述漂洗剂包括有机溶剂或溶剂混合物。
8.如权利要求7所述的方法，其中，所述漂洗剂还包含水。
9.如权利要求1-9中的任一项所述的方法，其中，所述清除浮渣组合物的基质聚合物包含选自以下的基团：-OH、-COOH、-SO3H、-SiOH基、羟基苯乙烯、羟基萘、磺酰胺、六氟异丙醇、无水物、内酯、酯、醚、烯丙胺、吡咯烷酮及其组合。
10.如权利要求1-9中的任一项所述的方法，其中，形成光刻胶图案的步骤包括在可显影的底部抗反射层上涂覆一层光刻胶组合物，并使底部抗反射层与光刻胶图案同时暴露和显影。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
