[实用新型]监控装置及气相沉积设备有效
申请号: | 201320003355.7 | 申请日: | 2013-01-05 |
公开(公告)号: | CN203007419U | 公开(公告)日: | 2013-06-19 |
发明(设计)人: | 乔徽;宁海涛 | 申请(专利权)人: | 光达光电设备科技(嘉兴)有限公司 |
主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52 |
代理公司: | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人: | 杨林;马翠平 |
地址: | 314300 浙江省海盐*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 监控 装置 沉积 设备 | ||
1.一种监控装置,用于在气相沉积工艺过程中对加热单元或被加热单元进行温度监控,其特征在于,所述加热单元或被加热单元被划分为若干个监控区域,所述监控装置包括:温度探测单元,用于获得所述监控区域的探测温度;温度比较单元,用于比较任意两个所述监控区域的探测温度得到温度差值,并将所述温度差值与预设的安全温度值比较得到比较结果;报警单元,用于根据所述比较结果,判断是否发出报警信号。
2.根据权利要求1所述的监控装置,其特征在于,所述报警单元检测到所述温度差值大于等于所述安全温度值时发出报警信号。
3.根据权利要求1或2所述的监控装置,其特征在于,所述安全温度值为30~70摄氏度之间的任一值。
4.根据权利要求1或2所述的监控装置,其特征在于,所述加热单元包括若干个子加热单元,所述若干个子加热单元分别对应加热所述若干个监控区域。
5.根据权利要求4所述的监控装置,其特征在于,所述若干个子加热单元的加热功率相互独立调节。
6.根据权利要求1所述的监控装置,其特征在于,在每个所述监控区域中,所述温度探测单元探测每个所述监控区域中的一个点的温度得到所述探测温度,或探测每个所述监控区域中的多个点的温度,取所述多个点的温度的平均温度得到所述探测温度。
7.根据权利要求1或6所述的监控装置,其特征在于,所述温度探测单元包括置于所述加热单元或被加热单元的下方的若干个热电偶,用于对应直接接触所述若干个监控区域并分别得到所述若干个监控区域的所述探测温度。
8.根据权利要求1或6所述的监控装置,其特征在于,所述温度探测单元包括若干个光谱分析装置,用于对应探测分析所述若干个监控区域的热辐射信号并分别得到所述若干个监控区域的所述探测温度。
9.一种气相沉积设备,包括工艺腔室,所述工艺腔室具有被加热单元和加热单元,所述加热单元分别对应置于所述被加热单元下方,在进行气相沉积工艺时,所述加热单元对应加热所述被加热单元,其特征在于,所述工艺腔室还包括权利要求1至8任一项所述的监控装置,所述监控装置对所述加热单元或所述被加热单元进行温度监控。
10.根据权利要求9所述的气相沉积设备,其特征在于,所述加热单元为所述气相沉积设备中的加热单元,所述被加热单元为托盘,所述监控装置对所述加热单元或所述托盘进行温度监控。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的