[实用新型]一种碳化硅晶体生长用的石墨籽晶坩埚盖

说明书

技术领域

本实用新型涉及碳化硅晶体领域，特别涉及一种碳化硅晶体生长用的石墨籽晶坩锅盖。

背景技术

物理气相沉积法生长SiC晶体过程中，晶体直接在石墨坩锅盖内部生长，晶体与石墨直接接触，晶体生长结束后，晶体与石墨坩锅同时冷却，但由于热膨胀率不同，晶体受到石墨挤压而产生较大内应力，在后续加工中会发生破碎。

为解决上述问题，现有技术中，通过晶体生长结束后的原位退火工艺去除晶体内热应力，即在晶体生长结束后，缓慢降低加热温度，使热应力随温度逐渐降低而得到释放。

但是，采用原位退火的方法去除热应力，在晶体生长结束后炉内高温的状况下缓慢降低温度，晶体生长温度在2000℃以上，降低到室温或200℃需要10-40小时的时间，且需要持续消耗功率，退火时间较长。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种在籽晶坩锅盖内部贴覆石墨纸的碳化硅晶体生长用的石墨籽晶坩锅盖。石墨纸质软，受挤压过程可产生适量的压缩形变，从而克服现有技术的不足，缩短生产周期、减少能耗。

本实用新型解决上述技术问题的技术方案如下：一种碳化硅晶体生长用的石墨籽晶坩锅盖，包括设置于所述石墨籽晶坩锅盖内、位于石墨籽晶坩锅盖顶部的籽晶，还包括石墨纸，所述的石墨纸贴覆于所述石墨籽晶坩锅盖的两侧内壁。

本实用新型的有益效果是：

1.在冷却过程缓冲石墨对晶体的挤压，从而大幅度降低晶体内的应力，在原位退火过程中，可以加快降温速度，缩短降温时间，既缩短生长周期又减少了能耗；

2.缩短晶体生长结束后的退火时间，简化退火工艺；

3.减少晶体研磨、切片等工艺的碎裂。

在上述技术方案的基础上，本实用新型还可以做如下改进。

进一步，所述的石墨纸厚度为0.2～1mm。

附图说明

图1为本实用新型示意图。

附图中，各标号所代表的部件列表如下：

1、石墨籽晶坩锅盖，2、籽晶，3、碳化硅晶体，4、石墨纸，5、坩锅，6、碳化硅原料。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本实用新型，并非用于限定本实用新型的范围。

如图1所示，籽晶2设置于石墨籽晶坩锅盖1内、位于其顶部，在石墨籽晶坩锅盖1内部的两侧的内壁上贴覆有石墨纸4。

工作时，石墨籽晶坩锅盖1盖于底部放置碳化硅原料6的坩锅5上，随着温度的升高，碳化硅原料6逐渐升华，在籽晶2上生长成碳化硅晶体3。由于石墨纸4质软，受挤压过程可产生适量的压缩形变，避免碳化硅晶体3受到石墨籽晶坩锅盖1的挤压而产生较大内应力，并且在原位退火过程中，可以加快降温速度，缩短降温时间，既缩短生长周期又减少了能耗。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。