[实用新型]一种太阳光谱选择性吸收膜有效

专利信息
申请号: 201320005802.2 申请日: 2013-01-07
公开(公告)号: CN203163316U 公开(公告)日: 2013-08-28
发明(设计)人: 刘小军 申请(专利权)人: 湖南兴业太阳能科技有限公司
主分类号: F24J2/48 分类号: F24J2/48;B32B5/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 411201 湖*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 一种 太阳 光谱 选择性 吸收
【说明书】:

技术领域

实用新型属于薄膜技术和薄膜材料领域,涉及一种颜色可调选择性太阳能吸收膜。 

背景技术

太阳能选择性吸收涂层是太阳能集热设备的核心部件,起着吸收太阳辐射能量并向集热器的传热工质传递热量的双重作用,目前市场上主要的太阳能选择性吸收涂层有黑铬、黑镍、阳极氧化涂层以及蓝钛镀膜等,现有涂层颜色单一,不美观,缺乏装饰性不能使太阳能热水系统与建筑物在色调上协调一致。 

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种太阳光谱选择性吸收膜。 

本实用新型的技术方案是,一种太阳光谱选择性吸收膜,包括覆膜基体,在覆膜基体表面从内到外依次设有中间介质层、半透明金属层、表面介质层,所述的覆膜基体为Al或Cu,所述的中间介质层和表面介质层为含氮化硅或氮氧化硅的涂层,所述的半透明金属层为含铬的涂层。 

覆膜基体的厚度为0.05-0.5mm,中间介质层和表面介质层厚度为30~100nm,半透明金属层厚度为1~50nm。 

在表面介质层外增加一个或两个“半透明金属层/介质层”交替层。 

“半透明金属层/介质层”交替层的半透明金属层为含铬的涂层,介质层为含氮化硅或氮氧化硅的涂层。 

“半透明金属层/介质层”交替层的半透明金属层的厚度为1~30nm,介质层厚度为30~100nm。 

一种太阳光谱选择性吸收膜的生产方法: 

本实用新型具有如下的技术效果,太阳光谱选择性吸收膜的太阳能吸收率高,发射率低,膜颜色可根据需要进行调节,能使太阳能热水系统与建筑物在色调上协调一致。 

附图说明

图1是蓝色的太阳光谱选择性吸收膜的层状结构示意图。 

图2是蓝色的太阳光谱选择性吸收膜的层状结构示意图。 

图3是黑色的太阳光谱选择性吸收膜的层状结构示意图。 

图4是紫色的太阳光谱选择性吸收膜的层状结构示意图 

具体实施方式

实施例1 

如图1所示,一种蓝色的太阳光谱选择性吸收膜,包括一个铝覆膜基体1,在铝覆膜基体1表面从内到外依次覆盖厚度为60nm的氮化硅中间介质层2、厚度为15nm的半透明金属铬层3、厚度为68nm的氮氧化硅表面介质层4。 

其生产方法是: 

选择性吸收涂层的制备方法依次按以下步骤进行: 

a.将Al基体进行表面处理,除去表面油污和氧化皮; 

b.将表面处理好的基体烘干; 

c.将烘干的基体置于真空镀膜室内; 

d.真空室内,先在基体上磁控溅射一层氮化硅中间介质层,真空度为0.5Pa气体溅射靶材为中频电源控制的双阴极硅靶,其溅射电流为45A,溅射电压为570V,溅射气体为Ar,反应气体为N2,Ar占所有气体比重的43%,N2占57%; 

e.真空室内,再溅射一层半透明金属铬层,真空度为0.5Pa气体溅射靶材为双阴极铬靶,其溅射电流为10A,溅射电压为510V,溅射气体为Ar; 

f.真空室内,最后再磁控溅射一层氮氧化硅表面介质层,真空度为0.5Pa气体溅射靶材为中频电源控制的双阴极硅靶,其溅射电流为47A,溅射电压为600V,溅射气体为Ar,反应气体为N2掺O2,Ar占所有气体比重的33%,N2占60%,O2占7%。 

该蓝色的太阳光谱选择性吸收膜的太阳能吸收率为:94.5%,发射率为:5%。 

实施例2 

如图2所示,一种蓝色的太阳光谱选择性吸收膜,包括一个铝覆膜基体1,在铝覆膜基体1表面从内到外依次覆盖厚度为60nm的氮化硅中间介质层2、厚度为23nm的半透明金属铬层3、厚度为58nm的氮化硅表面介质层4,在表面介质层4外增加一个“半透明金属层/介质层”交替层5,“半透明金属层/介质层” 交替层5的半透明金属层为含铬的涂层,厚度为10nm,介质层为含氮化硅的涂层,厚度为59nm。 

其生产方法是: 

选择性吸收涂层的制备方法依次按以下步骤进行: 

a.将Al基体进行表面处理,除去表面油污和氧化皮; 

b.将表面处理好的基体烘干; 

c.将烘干的基体置于真空镀膜室内; 

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