[实用新型]一种圆片级三维高密度电容结构

权利要求书

1.一种圆片级三维高密度电容结构，包括衬底（100），其特征在于：所述衬底（100）的上表面设置钝化层（200），在所述钝化层（200）上设置金属凸块（300），所述金属凸块（300）的外围设置绝缘层（400），所述绝缘层（400）上设置金属布线层（500），所述金属布线层（500）的外围填充保护层（600），并在金属凸块（300）的顶端分别形成金属凸块顶端之上的保护层开口（601）和金属凸块顶端金属布线层之上的保护层开口（602），所述金属凸块顶端之上的保护层开口（601）为电容的连接极Ⅰ，所述金属凸块顶端金属布线层之上的保护层开口（602）为电容的连接极Ⅱ。

2.根据权利要求1所述的圆片级三维高密度电容结构，其特征在于：所述金属凸块（300） 为圆柱、四边柱、六边柱或八边柱，所述金属凸块顶端之上的保护层开口（601）和金属凸块顶端金属布线层之上的保护层开口（602）的形状为圆形、四边形、六边形或八边形。

3.根据权利要求1所述的圆片级三维高密度电容结构，其特征在于：所述金属凸块（300）的高宽比大于1:1。

4.根据权利要求3所述的圆片级三维高密度电容结构，其特征在于：所述金属凸块（300）的高宽比为5:1。

5.根据权利要求1或2或3所述的圆片级三维高密度电容结构，其特征在于：所述电容的连接极Ⅰ和连接极Ⅱ之间以及两个连接极Ⅰ或两个连接极Ⅱ之间跨过1个或1个以上金属凸块（300），所述金属凸块（300）呈阵列排布，且底部相连。

6.根据权利要求5所述的圆片级三维高密度电容结构，其特征在于：所述金属凸块（300）呈交错的阵列排布。

7.根据权利要求1所述的圆片级三维高密度电容结构，其特征在于：所述金属凸块顶端之上的保护层开口（601）的底部为金属凸块（300）的顶端面，所述金属凸块顶端金属布线层之上的保护层开口（602）的底部为金属布线层（500）的上表面。

8.根据权利要求1或2或7所述的圆片级三维高密度电容结构，其特征在于：所述金属凸块顶端之上的保护层开口（601）内设置锡球（701），所述金属凸块顶端金属布线层之上的保护层开口（602）内设置锡球（702）。

9.根据权利要求1所述的圆片级三维高密度电容结构，其特征在于：所述金属凸块顶端之上的保护层开口（601）处的绝缘层（400）和金属布线层（500）呈台阶状分布，所述绝缘层（400）在金属布线层（500）之下、且凸出于金属布线层（500），所述保护层（600）将绝缘层（400）和金属布线层（500）裸露的端部包裹。

10.根据权利要求8所述的圆片级三维高密度电容结构，其特征在于：所述金属凸块顶端之上的保护层开口（601）处的绝缘层（400）和金属布线层（500）呈台阶状分布，所述绝缘层（400）在金属布线层（500）之下、且凸出于金属布线层（500），所述保护层（600）将绝缘层（400）和金属布线层（500）裸露的端部与锡球（701）隔离。