[实用新型]一种异质双面含氟型太阳电池背板有效
申请号: | 201320011005.5 | 申请日: | 2013-01-10 |
公开(公告)号: | CN203134828U | 公开(公告)日: | 2013-08-14 |
发明(设计)人: | 薛济萍;王强;姚元毅;蒋贤明 | 申请(专利权)人: | 中天光伏材料有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;B32B27/32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 双面 含氟型 太阳电池 背板 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种太阳能电池光伏组件,具体涉及一种异质双面含氟型太阳电池背板。
背景技术
目前市场上的太阳能电池背板主要有涂覆型和复合型两大类,复合型背板属技术成熟、耐老化性好点,但其成本高、主要原材料受限(进口),同时存在与太阳电池组件封装胶膜粘结性低、不稳定的弱点;而涂覆型背板有一定价格(成本)优势、生产工艺简单,但其长期使用效果较差,尤其是在紫外线照射强度大或风少较大的区域其缺点暴露无遗。为保证背板具备一定耐老化性能,同时降低成本,出现了单面氟膜背板设计,其耐候性能较双面含氟型差,不能满足户外气候恶劣地区的长期使用。
实用新型内容
实用新型目的:本实用新型的目的是为了解决现有技术中的不足,提供一种生产成本低、使用寿命长的异质双面含氟型太阳电池背板。
技术方案:本实用新型所述的一种异质双面含氟型太阳电池背板,所述背板包括依次连接的氟膜层,胶黏剂层,薄膜层,底涂层和涂覆层。
作为优选,所述氟膜层为聚偏氟乙烯膜或者聚氟乙烯膜。
作为优选,所述氟膜层的厚度为20-30微米。
作为优选,所述胶黏剂层为聚氨酯双组份胶黏剂。
作为优选,所述胶黏剂层的厚度为5-30微米。
作为优选,所述薄膜层为聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜,所述薄膜层的厚度为100-400微米。
作为优选,所述底涂层为类聚氨酯胶黏剂,所述底涂层的厚度为5-30微米。
作为优选,所述涂覆层为聚四氟乙烯或聚偏氟乙烯的微小颗粒和基础树脂一起分散在溶剂中形成的涂覆涂料。
作为优选,所述涂覆层的厚度为10-40微米。
有益效果:本实用新型将传统的复合型和涂覆型背板结合在一起,生产成本低,减缓老化速度,提高了背板的有效使用寿命,同时提高了与EVA背板胶膜的粘结强度。
附图说明
图1为本实用新型背板的剖面结构图。
图2为本实用新型一个面的生产工艺流程图。
图3为本实用新型另一个面的生产工艺流程图。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型做进一步说明:
如图1所示的一种异质双面含氟型太阳电池背板,背板包括依次连接的氟膜层1,胶黏剂层2,薄膜层3,底涂层4和涂覆层5,其中氟膜层为聚偏氟乙烯膜或者聚氟乙烯膜,氟膜层的厚度为20-30微米,胶黏剂层为聚氨酯双组份胶黏剂,胶黏剂层的厚度为5-30微米,薄膜层为聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜,薄膜层的厚度为100-400微米,底涂层为类聚氨酯胶黏剂,底涂层的厚度为5-30微米,涂覆层为聚四氟乙烯或聚偏氟乙烯的微小颗粒和基础树脂一起分散在溶剂中形成的涂覆涂料,涂覆层的厚度为10-40微米。
如图2和图3所示的制造上述异质双面含氟型太阳电池背板的方法,包括如下步骤:
A.在薄膜层3的一面涂上一层胶黏剂,涂胶完成后进行干燥;
B.在步骤A的胶黏剂上复合一层氟膜层1,复合后进行收卷,形成半成品;
C.将步骤B所得半成品进行预固化;
D.在上述固化后的半成品的薄膜层3的另一面涂抹底涂涂料,形成底涂层4,涂抹结束后进行干燥;
E.在底涂层4上涂布含氟涂料,涂布结束后进行干燥、收卷、裁边、去废,最后进行成品检验,包装出货。
本实用新型具有如下突出优点:
a.将PVDF或PVF薄膜层放置在外面,接受外界环境的破坏,将涂覆层放置在最内层,以改善与EVA胶膜的粘结强度;
b.涂覆型层含有氟原子,耐候性方面肯定优于PEVA薄膜,此外涂覆面具有大量的细小针孔,可以保证电池板的内热向外排放,另外由于EVA胶膜自身热稳定性导致老化后再次交联和分解,产生的小分子会腐蚀电池板,故涂覆面较大的透过性可以保证这些小分子排除;
c.为了满足25年有效寿命的要求,目前只有KPK型复合背板能达标,而KPE背板中PEVA薄膜主要成分为聚乙烯,紫外老化速度快,对内层的PET保护时长较短,这直接导致了背板的有效寿命短,然而含氟的涂料在一定程度上能阻挡紫外光的破坏,减缓了老化速率;
d.全球不断的降价风暴使得光伏行业的生存能力越来越低,在满足使用要求的前提下价格成为生存的根本,而涂覆层较PVDF薄膜价格更低。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的