[实用新型]一种具有可调键合层的晶圆

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种晶圆，尤其涉及一种具有可调键合层的晶圆。

背景技术

晶圆键合技术被广泛应用于MEME、BSI CMOS sensor等领域，其键合后晶圆的空洞(viod)与扭曲(distortion)是一大技术难点，现有的技术通过键合氧化物层来实现晶圆的键合，其虽然在一定程度上可以调节晶圆的弯曲度(wafer bowl)，但是效果依然不佳，造成的工艺控制区间(process window)较小；由于晶圆的弯曲度过大等问题，对后续的光刻等工艺造成很大的困扰；且易产生空洞，形成破片。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种具有可调键合层的晶圆，可以调节弯曲的的晶圆键合层。

本实用新型解决上述技术问题的技术方案如下：一种具有可调键合层的晶圆，包括晶圆层、键合氧化物层，在所述的晶圆层和键合氧化物层之间设有一层晶圆弯曲度的调节层，所述晶圆弯曲度的调节层为可调节晶圆弯曲度的介质薄膜；所述调节晶圆弯曲度的介质薄膜为氧化物或氮化物或金属化合物，或为氧化物、氮化物、金属化合物其中任意两种或三种的混合物，例如：可调节弯曲度的介质薄膜可以为三氧化二铝或氮化硅或铝钛金属化合物，或者为三氧化二铝、氮化硅、铝钛金属化合物其中的任意两种或三种的混合物。在晶圆上生长键合氧化物之前淀积一层调节晶圆弯曲的的介质，然后在该介质上生长键合氧化物。

本实用新型的有益效果是：在晶圆上生长键合氧化物之前淀积一层调节晶圆弯曲度的薄膜介质，可以调节晶圆的弯曲度，解决了键合的空洞与扭曲的问题，方便晶圆后续工艺的进行，避免空洞、碎片的产生。

附图说明

图1为本实用新型一种具有可调键合层的晶圆的结构示意图。

附图中，各标号所代表的部件列表如下：

1、晶圆层，2、晶圆弯曲度调节层，3、键合氧化物层。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本实用新型，并非用于限定本实用新型的范围。

如图1所示，一种具有可调键合层的晶圆，包括晶圆层1、键合氧化物层3，在所述的晶圆层1和键合氧化物层3之间设有晶圆弯曲度调节层2，晶圆弯曲度调节层2为一层调节晶圆弯曲度的介质薄膜；所述调节晶圆弯曲度的介质薄膜为氧化物或氮化物或金属化合物，或为氧化物、氮化物、金属化合物其中任意两种或三种的混合物，例如：可调节弯曲度的介质薄膜可以为例如：可调节弯曲度的介质薄膜可以为三氧化二铝或氮化硅或铝钛金属化合物，或者为三氧化二铝、氮化硅、铝钛金属化合物其中的任意两种或三种的混合物。在晶圆层1上生长键合氧化物层3之前淀积一层晶圆弯曲度调节层2，然后在晶圆弯曲度调节层2上生长键合氧化物。

在晶圆的键合过程中，将两块淀积有晶圆弯曲度调节层2的晶圆经过化学机械研磨后键合在一起，通过晶圆弯曲度调节层2可以调节晶圆的弯曲度，解决了键合的空洞与扭曲的问题，方便晶圆后续工艺的进行，避免空洞、碎片的产生。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。