[实用新型]一种碳化硅晶体生长的坩埚结构

权利要求书

一种碳化硅晶体生长的坩埚结构，包括坩埚锅盖及坩埚体，其特征在于，所述坩埚体包括用于晶体生长的第一坩埚壁和用于放置原料的第二坩埚壁和坩埚底结构，所述第一坩埚壁的上端与所述坩埚盖活动连接；所述第一坩埚壁的下端与所述第二坩埚壁的上端可拆卸连接；所述第二坩埚壁下端与坩埚底固定连接；所述第一坩埚壁及坩埚盖内为生长腔，所述第二坩埚壁与所述坩埚底内为原料腔，所述生长腔与所述原料腔相连通。

根据权利要求1所述一种碳化硅晶体生长的坩埚结构，其特征在于，所述第一坩埚壁和第二坩埚壁均为圆筒状结构，其二者之间可拆卸连接。

根据权利要求2所述一种碳化硅晶体生长的坩埚结构，其特征在于，所述第一坩埚壁的高度在20mm～70mm，直径大于50mm。

根据权利要求1所述一种碳化硅晶体生长的坩埚结构，其特征在于，所述第一坩埚壁的下端与第二坩埚壁的上端螺纹连接。

根据权利要求4所述一种碳化硅晶体生长的坩埚结构，其特征在于，所述用于晶体生长的第一坩埚壁为绝缘体材料或者碳化合物制成。

根据权利要求5所述一种碳化硅晶体生长的坩埚结构，其特征在于，所述绝缘体材料为碳化钽材料。

根据权利要求1至6任一项所述一种碳化硅晶体生长的坩埚结构，其特征在于，所述坩埚盖、第二坩埚壁及坩埚底均为石墨制成。